富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件满足高效电源单元供应市场需求

富士通半导体（上海）有限公司宣布采用其基于硅基板的氮化镓 （GaN）功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。

与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化，从而可以通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。按照此目标，富士通半导体自2009年起就在开发批量生产技术。此外，富士通半导体自2011年起开始向特定电源相关合作伙伴提供GaN功率器件样品，并对之进行优化，以便应用在电源单元中。