三电平变换器无感母排设计

2013-09-20 02:57陈静
电气自动化 2013年5期
关键词:箝位母排叠层

陈静

(淮阴师范学院物电学院,江苏淮安 223300)

0 引言

目前,高压变频器因其处理功率大、开关频率高,回路杂散电感不容忽视。功率器件关断过电压,一方面是变频器主要EMI干扰源之一;另一方面,导致开关损耗增加,限制了开关频率进一步提高。因此,降低变频器杂散电感尤为重要。而叠层母排的应用,可抑制器件暂态过电压,降低空间EMI,提高变频器工作的可靠性。

1 三电平变换器电压尖峰的产生

中点箝位型(Neutral Point Clamped—NPC)三电平变换器拓扑如图1所示。每相桥臂由四个IGBT(Sx1~Sx4)、四个反并联二极管和两个箝位二极管(Dx1、Dx2)组成,其中 x=a、b、c。输出电压有三种取值:+Ud/2、0、-Ud/2,对应三种开关状态 1、0、-1。

开关暂态中,回路杂散电感及高di/dt,导致器件产生关断过电压,击穿器件[1]。该关断过电压产生的表达式为:

其中Uov是关断过电压过,isw是关断电流,Lstray是回路总杂散电感。可以看出,器件关断电压尖峰与回路杂散电感值有关,减小杂散电感是最有效的过电压抑制方法。

图1 NPC三电平变换器拓扑结构

NPC三电平变换器共有14种基本换流模式,其中8种为强迫换流,6种自然换流[2-3]。经分析得出,有4种强迫换流回路是电压尖峰产生的原因,标记为:回路A、回路B、回路C、回路D,如图2所示。规定负载电流方向:由直流侧流向负载侧时,定义为正方向(i>0);由负载侧流向直流侧时,定义为负方向(i<0)。

以图2(a)为例,Sa1关断且Sa3开通时,实线电流减小,虚线电流增大,强感性负载电流iL不变。这两路突变电流会回路杂散电感上产生感应电压。这些连接线路和器件构成一个换流回路。回路电感上的感应电压和电容电压叠加在关断器件上,导致关断过电压产生。

图2 四种基本换流回路

2 三电平变换器无感母排设计原则

叠层母排将多层又宽又薄的矩形铜排叠压在一起,层间采用绝缘材料间隔开,将IGBT、电容器、散热器等组合起来,见图3。使用叠层母排代替普通电缆,具有减少寄生电感、降低空间EMI、改善系统散热性能、降低生产成本等特点[4]。因此,为了改善开关暂态过程,高压变频器通常采用叠层母排作为主电路的连接导线。

图3 叠层母排基本结构

根据电磁场理论,利用叠层母排实现电感最小化的基本原则是[5]:

(1)换流过程中,有同一高频电流流过所有参与换流的铜排;

(2)上下层电流形成双向镜像回路,且包围回路面积最小。

三电平变换器每相桥臂有六个等电位连接点,共需要六块导流母排(见图2中带圈数字标记:①正母线层、②上箝位层、③零母线层、④输出层、⑤下箝位层、⑥负母线层)。

以换流回路A为例,当Sa1关断且Sa3开通时,主电路发生强迫换流,负载电流从“Sa1-Sa2-负载”切换到“Da1-Sa2-负载”。假设负载为强感性,换流过程中可将负载电流看成恒定。根据KCL定律,有:

将iSa1和iDa1分解为直流分量和交流分量两部分:

将上式带入到式(2)中,得:

由式(8)可知,流经正母排和Sa1的交流电流必定流回到上箝位母排、Da1、零母排和上直流电容C1,即满足条件(1)。因此,母排叠层结构设计思路是,使换流回路面积最小,同时形成双向镜像电流路径,使条件(2)满足。

3 实验结果

本文基于防爆三电平变频器设计,根据技术参数,选用双管串联封装IGBT模块:Infineon FF1000R17IE4。每相桥臂由3个IGBT模块连接:1#IGBT(Sx1与Dx1)、2#IGBT(Sx2与Sx3)、3#IGBT(Sx4与Dx2)。由于输出电压不存在+Udc/2、-Udc/2之间的直接跳变,因此正、负母排之间不存在直接换流,各自与零母排形成叠层结构[6-7]。

图4 防爆变频器换流回路

根据无感母排设计原则,确定防爆变频器功率器件连接排的叠放次序,由上至下设计为:最上层(正母排、上箝位排、下箝位排),中间(零母排),下层(负母排),见图4。该叠层结构,可以实现换流回路面积最小,上下电流形成双向路径,实现杂散电感最小化。

三电平变换器换流回路实际杂散电感值,可通过IGBT实测开关曲线间接获得,即测量电流下降率与IGBT关断瞬时尖峰电压。实验时,直流母线电压Udc=1 kV,负载为电抗器,关断电流约为ILoad=1.016 kA。对Sa1关断电压尖峰进行测试,图5为Sa1关断波形。

图5 Sa1关断电压尖峰波形

开关过程电压过冲US1ov=706 V,查阅数据手册,该型号IGBT实际电流下降时间toff=290 ns,按照下列公式计算回路杂散电感:

根据IGBT关断波形,可以看出,IGBT器件关断电压尖峰被有效抑制在安全工作区内。

4 结束语

本文针对三电平变换器拓扑和控制原理,提出无感母排结构设计原则,并应用到防爆变频器中。实验结果表明,所用叠层母排设计方法合理,有效抑制了器件关断过电压,为叠层母排的应用提供了设计思路和参考价值。

[1]柳彬.大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究[J].舰船科学技术,2009,31(12):62 -65.

[2]白保东,陈晨.隔爆一体式变频电机的层叠母线设计[J].沈阳工业大学学报,2010,47(1):1 -5.

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[4]易荣,赵争鸣.高压大容量变换器中母排的优化设计[J].电工技术学报,2008,23(8):94 -100.

[5]汪鋆.基于IGBT的750 kVA三相二极管箝位型三电平通用变流模块设计[D].杭州:浙江大学,2010.

[6] Zhiqiang Wang,Guozhu Chen.Study on planar busbar regarding stray inductance minimization and oscillation suppression for high power converter[J].IEEE Transactions on Power Electronics,2007,10:37 - 42.

[7] Zare F,Ledwich G F.Reduced layer planar busbar for voltage source inverters[J].IEEE Transactions on Power Electronics,2002,17(4):508-516.

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