一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法

2016-12-15 11:42
表面工程与再制造 2016年5期
关键词:覆层申请号半导体

一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法

申请公布号:CN106011848A

申请公布日:2016.10.12

申请号:2016105894300

申请日:2016.07.26

申请人:山西玉华再制造科技有限公司

发明人:段虎明

该发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法,既能修复失效的轴类零件,又能有效的保护键槽。包括以下步骤:步骤一,对圆轴和键槽进行预处理,所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键,获得表面轮廓一致的待熔覆表面;步骤二,采用半导体激光束,对所述待熔覆表面进行激光熔覆,获得过渡层;步骤三,去除所述过渡层表面氧化物,对所述过渡层进行激光熔覆,获得熔覆层;步骤四,从所述键槽中取出所述铝键。

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