浅析单晶硅生长的机理

2017-10-09 16:16金学桐冯殿义
科学家 2017年17期
关键词:单晶硅杂质

金学桐 冯殿义

摘 要 单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料,对于我国高新技术发展具有战略性地位。论文主要对形成单晶硅的重要方法即直拉法(CZ)单晶硅生长的机理与工艺进行了分析,并对如何提纯材料,提纯减少杂质的措施进行了介绍。

关键词 单晶硅;生长机理;杂质

中图分类号 TM91 文献标识码 A 文章编号 2095-6363(2017)17-0002-01

单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料属于立方晶系,单晶硅具有独特的金刚石结构。这种材料独特的结构属性,使其成为性能优良的半导体材料,单晶硅的发端可以追溯到第二次世界大战左右,从多晶硅材料的使用开始到如今已经超过半个世纪。目前,硅材料的生长技术已经发展的非常完善,并在集成电路、光学元件、太阳能电池等领域得到广泛应用。单晶硅作为半导体产业的重要材料支撑,对国家高新技术发展具有难以取代的重要作用,并且SiO2在地壳内储备丰富,具有矿源丰富的优点。目前,作为新能源产业重要支柱的太阳能光伏产业就是用单晶硅制造的,由于单晶硅具备其他材料所没有的纯度高、光电转换效率高等特征。因此,单晶硅已经成为生产太阳能电池的最理想材料,并得到世界各国的重视,单晶硅的发展为人类清洁能源、新能源发展带来了曙光。

1 单晶硅生长的原理分析

目前,国内外通行的制备单晶硅的技术主要分为两类,具体包括区熔法与直拉法,其中区熔法主要用于大功率器件,而直拉法主要用于集成电路与太阳能电池领域。两种方法各有所长,但直拉法目前应用更重要,特别是在单晶硅的制备方面。

直拉法通常被叫做切克劳斯基单晶硅制备方法,该单晶硅制备方法最早是由切克劳斯基在1917年建立的,作为一种重要晶体生长方法,得到业界普遍认同。切克劳斯基单晶硅制备方法生长单晶具有很多优点,比如该方法所采用设备和工艺比较简单,易于操作,特别容易实现自动控制。因此,使用切克劳斯基单晶硅制备方法生产单晶硅的生产效率高,特别是易于制备大直径单晶。此外,使用切克劳斯基单晶硅制备方法容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据不完全统计,目前世界上硅单晶的产量中70%~80%是用切克劳斯基单晶硅制备方法生产的。

单晶硅生长的基本原理主要是将原料放在坩埚中,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,而在这个坩埚的上方有一籽晶杆,把一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面,该杆可以进行旋转和升降。在籽晶杆下端设置夹头捆住籽晶。当原料在坩埚中被熔化后,将籽晶插入到高温的熔体之中,并将温度控制到一定的范围内,并达到过饱和温度,然后一边进行旋转,一边进行提拉,晶体便会在籽晶下端生长这样就可以最终获得所需单晶。其中使用直拉法生长单晶硅的工艺步骤主要包括:多晶硅的装料与熔化,然后进行引晶,引晶主要是控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3mm~5mm的细颈,通过引晶来消除高温溶液对籽晶热冲击所产生的负向作用,这个负向作用会导致原子排列的位错。随后,进行缩颈,放大晶体直径到工艺要求的大小,通常是75mm~300mm,进行放肩。然后,进行等颈并最终完成收尾工艺。进行提高拉速,开始转肩操作,做到的标准是使肩部近似直角。接着,通过控制热场温度和晶体提升速度的处理方法,使得单晶柱体生长出来,并达到一定的规格。最后,等到大部分硅溶液完成结晶过程,形成晶体之后,将晶体渐缩成尾形锥体,并进行一定的保温冷却,晶体就可以取出。

2 单晶硅生长过程中杂质产生与消除措施

2.1 氧杂质的产生与消除措施

单晶硅在生长过程中有杂质产生严重的影响了产品质量,因此单晶硅生长过程重要的怎么消除杂质的产生。直拉单晶硅部分杂质属于工艺学人为掺入,比如部分电活性杂质。但是在单晶硅生长过程中还有对产品质量产生严重影响的杂质,其中最普遍的是氧和碳。

氧作为直拉单晶硅中对产品质量产生严重影响的主要杂质,主要来源于石英坩埚。该杂质作为单晶硅生长过程中不可避免的杂质,其既可以通过与空位结合,形成缺陷。又可以通过团聚形成氧团簇,此外,也可以形成氧沉淀,诱生缺陷。

为解决氧杂质污染问题,可以使用大尺寸的石英坩埚,降低来源于石英坩埚的污染。还可以采取提高工艺精细程度的办法降级氧杂质,比如采用高晶轴转速和低坩埚转速控制氧的分布。此外,可以采用高气流量、低炉压的办法促进SiO的挥发,进而实现氧杂质减少的目的。

2.2 碳杂质的产生与消除措施

单晶硅在生长过程中C杂质的产生严重影响了产品质量,碳作为重要的杂质,C作为四价元素,可以与氧发生作用,同時C也可以与自间隙的Si原子与空位结合,并在一定条件下有微小的碳沉淀生成,碳沉淀造成单晶硅缺陷,导致硅器件的击穿电压被降低,进而导致漏电流增加,最终对器件的性能产生严重的影响。碳杂质主要来自多晶硅原料,存在于晶体生长炉内的剩余气体等。

为解决碳杂质污染问题,最直接的措施是改变炉内热场设计。主要措施是在石墨元件上利用CVD 的方法镀上一层SiC,阻止CO气体生成,通过CO气体的减少,达到减少碳杂质含量的目的。此外,还可以改善热场设计,通过改善设计使得氩气将SiO气体带出炉体,也可以降低晶棒中的碳含量。通过避免SiO气体接触高温石墨元件的热场设计,降低碳污染程度。

3 结论

单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料,在集成电路、光学元件、太阳能电池等领域得到广泛应用。单晶硅作为半导体产业的重要材料支撑,对国家高新技术发展具有难以取代的重要作用。目前,单晶硅已经成为生产太阳能电池的最理想材料,并得到世界各国的重视,单晶硅的发展为人类清洁能源、新能源发展带来了曙光。随着,国内外市场对单晶硅需求的迅速增加。目前,单晶硅市场竞争日趋白热化。国内厂商要在竞争中占据优势地位,就必须在理解单晶硅生长机理的同时,进行工艺革新。论文主要对形成单晶硅的重要方法即直拉法(CZ)单晶硅生长的机理与工艺进行了分析,重点论述了单晶硅生长过程中氧杂质与碳杂质的产生与消除措施,比如为解决氧杂质污染问题,可以使用大尺寸的石英坩埚。为解决碳杂质的产生,最直接的措施是改变炉内热场设计等办法。

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