论用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜

2018-01-27 19:52郭少平
魅力中国 2017年51期

郭少平

摘 要:HNA溶液(又称乙酸、氢氟酸、硝酸的混合溶液)作为刻蚀液,一般用于硅的各向同性湿法刻蚀程序中,而耐刻蚀性很好的氮化硅常被用作顶层掩膜材料。我们通过选择不同的刻蚀液配比,以便在硅片刻蚀不同的结构,配比不同,氮化硅掩膜的刻蚀速率各不相同。基于这种认识,本文用PECVD及LPCVD两种不同方法,在<111>型硅片上沉积了560nm和210nm厚的氮化硅薄膜,在分析了它们在不同配比刻蚀液中的刻蚀速率的同时,为科学制作所需厚度的氮化硅掩膜提供科学化的参考。

关键词:各向同性刻蚀 掩膜 氮化硅

引言

随着科学技术发展,刻蚀技艺日臻完善,低成本的湿法刻蚀法的应用也愈发广泛。从完善工艺的角度上说,不同配比的刻蚀液由于会影响硅的刻蚀速率和表面的粗糙度,因此,研究人员需研究不同的刻蚀液配比,以实现配比的科学化。而氮化硅作为顶级掩膜材料,我们选择合理的氮化硅的厚度也至关重要,氮化硅薄膜太薄,刻蚀要求无法达标;薄膜太厚导致过多应力而影响刻蚀效果,为节约成本,优化工艺,了解氮化硅薄膜在不同配比刻蚀液中的刻蚀速率至关重要。

1、实验过程

为研究氮化硅掩膜在不同配比的刻蚀液中的刻蚀速率,我們首先将待刻蚀的硅片放在L型塑料板结构支架的底部,将其上端挂在已经盛有HNA刻蚀液的聚四氟乙烯烧杯上。作为表层的整体掩膜的氮化硅,由于其与刻蚀液接触面积已经很大,因此,在实际的工艺过程中工作人员即使常常对刻蚀液进行搅拌,但这种方法对刻蚀速率影响不大。本实验采取静置刻蚀的方法,首先实验的试剂为氢氟酸(49%)硝酸(70%)和乙酸(99.9%),其中实验中固定乙酸为10ML,仅仅在氢氟酸和硝酸的比例上做一些改变。

同时,我们采用PECVD及LPCVD法在硅片表面制备了氮化硅掩膜,并对其进行了测试,PECVD制备的氮化硅掩膜有560nm厚,LPCVD制备的氮化硅则仅有210mm厚,我们分别将两种氮化硅切成1平方厘米的正方形,在不同配比的刻蚀液中进行反应,并得出结论。

2、实验结果

2.1关于PECVD氮化硅掩膜刻蚀速率

首先我们用PECVD氮化硅硅片在各种溶液中进行反应试验。并用OceanOptics紫外干涉膜厚仪测量氮化硅薄膜在反应前和反应后的两种厚度,利用刻蚀时间,即可得出掩膜在不同刻蚀液中的刻蚀速率。关于PECVD氮化硅的刻蚀速率,它随着氟酸总量的增加,显示出先增大,后在D处(氢氟酸40ml)快速增大,在G处(氢氟酸70ml)时达到最高点,并在之后减小的规律。

2.2关于LPCVD氮化硅掩膜刻蚀速率

我们同样用带有LPCVD氮化硅的硅片同PECVD实验一样的不同配比的刻蚀液进行反应试验,由实验结果可得,随着溶液配比变化,LPCVD与PECVD氮化硅的刻蚀速率趋势相似,但速率缓慢很多,从实验中我们得到以下结论:PECVD氮化硅刻蚀速度虽在A点(氢氟酸10ml时)最慢,但速度为244nm/min(采用PECVD制备的氮化硅薄膜刻蚀速率最大达到了3090nm/min),而LPCVD氧化硅在A点时的速率仅为3nm/min(最大为37.5nm/min)。通过以上的例子说明,LPCVD氮化硅比PECVD氮化硅的致密性要好很多,因此耐刻蚀性也会好很多。由于实验中,PECVD氮化硅的反应更加剧烈,说明LPCVD氮化硅比PECVD氮化硅更加适合用于长期各向同性湿法刻蚀的掩膜。

2.3加入乙酸对刻蚀液刻蚀速率的作用

从以上实验我们得知,乙酸加入HNA溶液中是为了让刻蚀液对硅的刻蚀速率变慢。因此加入乙酸同样会对氮化硅的刻蚀速率造成影响。我们把未加入乙酸的几种典型刻蚀液配比另做实验后,得出结论:因为PECVD沉积的氮化硅耐刻蚀性不好,因此在缺少乙酸抑制刻蚀速率的情况下,用同上一组对比试验一样的560nm厚的PECVD氧化硅掩膜在较短时间内即被完全刻蚀,使得对比试验无法在较长的时间内进行。因此我们用LPCVD进行实验。我们在观察LPCVD氮化硅在未加入乙酸的刻蚀液中的刻蚀速率后,可以得出以下结论:首先,当氢氟酸体积比较小时(氢氟酸在10ml到40ml之间时),加入乙酸这个条件对氧化硅刻蚀速率不是很大,但随着氢氟酸比例的增加,未加入乙酸的刻蚀液对氧化硅的刻蚀速率的影响显著加大,最大时达到两倍左右的刻蚀速度。因此,为保证刻蚀速度在可控范围内,乙酸是必须添加的成分。

3、对实验结果的探讨

3.1氮化硅掩膜薄厚与颜色的关联

在刚才的实验中,我们在研究刻蚀液刻蚀速率的同时,也发现了随着厚度的不同,氮化硅掩膜的颜色也出现了显著变化。因此我们又进行了一组关于氮化硅掩膜厚度与颜色的实验。为了颜色变化更明显,我们用显微镜加大观察的容易度。从实验结果我们可以知道:沉积在<111>型硅片上氮化硅颜色随着厚度的变薄而逐渐变浅,并呈现出一种周期式的变化,在一定厚度后颜色再次逐渐变深。

3.2实际使用中的氮化硅掩膜

我们使用<111>型硅片进行刻蚀实验之后,用扫描电子显微镜进行对表面的观察。通过观察带有完整氮化硅掩膜的硅片,我们发现外缘圆柱的硅片和内圈大范围的氮化硅相比,发生了较大范围的脱落,已经只剩下一薄层烟花硅薄膜。而内部大范围的掩膜则剩下了大片的未被刻蚀的硅片。

结论

通过以上实验我们看到,实验人员分别采用PECVD和LPCVD两种方式,在<111>型硅片上制备了氮化硅掩膜,并测试出了在以氢氟酸(49%)硝酸(70%)和乙酸(99.9%)为试剂,8种配比刻蚀液下的刻蚀速率。并得出结论,采用PECVD制备的氮化硅薄膜刻蚀速率最大达到了3090nm/min,最小为也有244nm/min之多;而采用LPCVD制备的氮化硅薄膜刻蚀速率则缓慢很多,最大为37.5nm/min,最小为3nm/min。因此我们可得出结论,用LPCVD制备氮化硅掩膜更加科学。同时,我们可以参照氮化硅掩膜颜色随着厚度的变化规律,为工作人员今后合理制作所需要厚度的掩膜提供了科学的参考。

参考文献

[1]刘亚东,张卫平,唐健,汪濙海,邢亚亮,孙殿竣.用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜[J].半导体光电,2016,04:009.endprint