伏安法测二极管方法及数据处理研究

2018-03-01 10:26李维银张永莉张莎海莲
无线互联科技 2018年22期
关键词:电流表伏安二极管

李维银 张永莉 张莎 海莲

摘 要:文章采用DH6101伏安特性仪和电化学工作站两种平台测试了1N4007和2AP10二极管的伏安特性,用Origin软件绘制了I-V曲线图,实验结果表明,采用DH6101平台测试不能实时绘制I-V曲线图,而采用电化学工作站能实时绘制I-V曲线图,直观地观察二极管的伏安特性。利用Origin软件绘图降低了绘图误差,提高了实验数据处理的效果。同时,本次实验中利用Origin软件拟合了高斯曲线,拟合优度很高。

关键词:伏安法;2AP10;1N4007;电化学工作站;Origin软件

电子元件中,二极管是一种只允许电流由单一方向流过的两个电极的装置,具有整流功能[1],被广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。搞清楚二极管的特性尤为重要,在大学物理实验中,通常利用电流表和电压表测量二极管的伏安特性。实验过程中,受到实验仪器、环境、实验条件等因素的限制,必然会出现一定的误差,影响测量结果的精确度[2]。目前,实验过程中,二极管I-V曲线不能实时绘制,不利用学生及时观察它们的特性。电化学工作站测量I-V曲线时,避免了这个缺点。随着计算机普遍使用,利用计算机绘制二极管伏安特性曲线成为可能,这样有利于提高学生实验能力的同时,提高实验数据处理的能力。Origin是一种专业的绘图和数据处理软件,在实验数据处理方面有广泛的应用[3-5]。本文利用实验DH6101伏安特性仪和电化学工作站分别测试了1N4007和2AP10两种二极管的伏安特性,用Origin软件绘制并拟合了I-V曲线图。

1 实验原理与方法

在DH6101伏安特性仪实验平台上,伏安法测二极管2AP10和1N4007伏安特性采用电流表内接法和电流表外接法,电路示意如图1所示。电源电压在0~10 V内调节。通过对这两种方法电路图分析,发现这两种实验方法都会存在误差,其主要来源于电表内阻接入电路而引起。在电流表外接实验中,电压表和电流的读数分别是U和I时,由于电压表内阻会进行分流,这样实际通过二极管的电流I'是小于I,它们之间满足下面的关系式[6]:

利用电化学工作站CHI660E中循环伏安法对二极管1N4007和2AP10分别测试了它们的伏安特性,将对极和参比电极同时夹在二极管的一端,将工作电极夹在二极管的另一端,此时二极管构成模拟电解池。初始电位和高电位都设为1.0 V,低电位设在1.0 V,灵敏度设在1.0e~003A/V。

2 数据分析与讨论

利用DH6101伏安特性仪测二极管1N4007和2AP10伏安特性曲线如图2所示。可以看出,当二极管1N4007和2AP10正向电压分别小于它们的“死区电压”时,二极管基本不导电,其电阻极大;当正向电压大于它们的“死区电压”时,其电阻较小。電流表内、外接法中,二极管1N4007的正向降压都约为0.6 V,与实验平台中给出值(硅二极管0.7 V左右)一致,电流表内接法二极管导通后,电流没有迅速增长,而电流表外接法二极管随着电压增大急剧增加,因此,电流表外接法更符合测二极管1N4007的正向伏安特性。二极管2AP10在电流表内接法中,正向降压约为0.6 V,大于实验平台中给出值(锗二极管0.2 V左右),而在电流表外接法中,正向降压约为0.3 V,与实验平台中给出值一致,电流表内接法二极管导通后,电流随着电压增加增长速度过慢,而电流表外接法二极管随着电压增大也急剧增加,对于二极管2AP10,电流表外接法也比较符合测它的正向伏安特性。总之,通过电流表内、外接法测二极管正向伏安特性实验比较,可知电流表外接法更符合测它们的正向伏安特性,符合大多数物理实验教科书。

在图2中,同时给出了高斯拟合曲线。高斯拟合是利用Origin软件进行拟合,拟合光谱线型满足下列关系式:

(3)

其中,y0是基线,A为峰面积,w为峰的半高宽,xc为峰的位置。利用Origin软件拟合二极管1N4007和2AP10伏安曲线的拟合优度(R2)如表1所示,总体上拟合曲线与测量值拟合程度比较好,相比之下,内接法拟合程度比较好。

利用电化学工作站CHI660E测二极管1N4007和2AP10伏安特性曲线如图3所示。二极管1N4007的正向降压约为0.5 V,与DH6101伏安特性仪测测量数值接近,但略小于实验平台中给出值(硅二极管0.7 V左右),二极管导通后,电流随着电压增大急剧增加。二极管2AP10的正向降压约为0.35 V,与DH6101伏安特性仪测测量数值接近,略大于实验平台中给出值(锗二极管0.2 V左右),二极管导通后,电流随着电压增大也急剧增加。图3中同样对这两条曲线做了高斯拟合,发现它们的拟合度很高(见表1)。

对比这两种伏安特性曲线测试平台,可以发现,采用DH6101平台测试不能实时绘制I-V曲线图,而采用电化学工作站能实时绘制I-V曲线图,直观地观察二极管的伏安特性。在实验数据处理阶段,相比手工绘图,利用Origin软件绘图降低了绘图误差,提高了实验数据处理的效果。同时,利用Origin软件还可以拟合曲线,本次实验中利用Origin软件拟合了高斯曲线,拟合优度很高。

3 结语

本文利用实验DH6101伏安特性仪和电化学工作站分别测试了1N4007和2AP10两种二极管的伏安特性。在DH6101伏安特性仪平台上二极管1N4007在电流表内、外接法中的正向降压都约为0.6 V,与硅二极管(0.7 V左右)一致,二极管2AP10在电流表内接法中,正向降压约为0.6 V,大于锗二极管(0.2 V左右),而在电流表外接法中,正向降压约为0.3 V,与锗二极管一致。两种方法中,采用电流表外接法时,两种二极管电流都随着电压增大也急剧增加,更符合测它们的正向伏安特性。利用电化学工作站CHI660E测二极管1N4007和2AP10的正向降压分别约为0.5 V和0.35 V。利用Origin软件拟合二极管1N4007和2AP10伏安曲线发现,总体上拟合曲线与测量值拟合程度比较好,相比之下,内接法拟合程度比较好。

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