专利名称：一种柔性的透明二硫化钼薄膜电极的制备方法

专利申请号：CN201510746959.4

公开号：CN105336508A

申请日：2015.11.06公开日：2016.02.17

申请人：东华大学

本发明涉及一种柔性的透明二硫化钼薄膜电极的制备方法，包括：将二硫化钼纳米片粉体加入水中，分散，得到均匀的水-二硫化钼分散液；清洗柔性基底，烘干，对基底表面进行改性处理；将改性处理后的柔性基底加热，将分散液均匀的喷涂到柔性基底上，即得。本发明的制备方法具有高效、可行、适于大面积、大规模制备等优点，制备得到的薄膜电极广泛应用于可穿戴电化学储能、电子显示等领域。