Ku同轴-波导转接头带外抑制特性分析*

2023-01-08 03:57徐谡钦赖
舰船电子工程 2022年10期
关键词:实体模型同轴波导

徐 卓 徐谡钦赖 平 曾 璐

(1.武警广西总队参谋部 南宁 530031)(2.91497部队 宁波 315000)(3.32382部队 武汉 430311)

1 引言

波导因其反射损耗小、传输衰减低、功率容量高、易于与同轴线缆匹配,广泛应用于Ku卫星通信中[1~3]。通常针对其带内传输与反射特性开展研究[4~12],对于其低频带外抑制特性分析的文献未见公开报道。事实上,同轴-波导转接头的低频带外抑制特性直接影响Ku卫通低频带外杂散发射与接收。特别是,良好的低频带外抑制特性可阻止带外杂散发射信号进入卫通设备,避免带外杂散发射信号进一步进入中频设备,从而引起电磁兼容问题。

Ku卫通同轴-波导转接头的低频带外抑制能力通常可达-150dB,带外与带内特性同时仿真时,对电磁仿真软件的计算精度提出极高的要求。与此同时,常规矢量网络分析仪的测量精度约为-100dBm,难以精确测量Ku卫通同轴-波导转接头的低频带外抑制特性。

本文针对Ku同轴-波导转接头带外抑制特性,在仿真软件和测试仪器精度允许的范围内,通过仿真与测试,分析了其带外抑制特性,结果吻合较好。进一步地,预测了附加150mm波导管后的低频带外抑制特性,对评估不同长度Ku同轴-波导转接头带外抑制特性具有重要的参考价值。

2 波导初步仿真

卫通天线射频端通常采用矩形波导,长、宽分别约为19mm、9.5mm,与BJ120标准矩形波导的主要参数相吻合[2],如表1所示。

根据表1建立了矩形波导仿真模型。

表1 BJ120标准矩形波导主要参数表

1)CST实体模型

如图1(a)所示,为在CST仿真软件中建立的仿真模型,波导的背景材料为空气,且为吸收边界条件,采用时域求解器。图1(b)为仿真结果,波导管呈现高通特性。随着波导管长度的增大,反射特性变化较小,低频阻带效果逐渐变好。

图1 CST中实体建模及仿真结果

2)CST等效模型

在CST中建立等效模型,背景材料为PEC,波导内部材料为空气,如图2所示,采用频域求解器。可以明显看出波导在TE10模的截止频率为7.87GHz。

图2 CST中等效仿真模型(3GHz~10GHz)

3)HFSS实体模型

在HFSS中建立实体模型,端口为waveport,如图3所示,仿真结果与图2类似。

图3 HFSS实体模型

上述三种仿真方法出现差异的主要原因有:为了求解的高效,图1中CST采用了时域求解器,然而频带过宽,所以误差较大。经过验证图1背景材料为PEC建模和图2实体建模结果是一样的,因此,尽管前者在建模、仿真效率等上有优势,但不符合实际情况。与此同时,HFSS采用的是频域求解器,计算结果更为合理一些。为更进一步核实该问题,CST、HFSS的求解频带为3GHz~5GHz,推导矩形波导的理论衰减公式为

特别需要注意的是,3GHz~5GHz在波导的截止频率以下,β应该为负的纯虚数。

对于最低次主模式TE10(m=1,n=0),计算得不同距离的衰减如图4所示,结果整理于表2,波导长度变化在25mm~100mm的范围内,理论计算、CST、HFSS均吻合较好,随着长度的进一步增大,软件由于受到收敛精度的影响,误差逐渐增大。

图4 CST、HFSS实体建模及仿真结果(3GHz~5GHz)

表2 BJ120标准矩形波导3GHz时的衰减(19mm、9.5mm)

3 波导-同轴转接头仿真分析

建立I型波导-同轴转接头仿真模型,如图5所示,带内(12GHz~13GHz)同轴端具有良好的传输和反射特性,带外(2.5GHz~4.5GHz)同轴端输入电磁波进入波导,但不再从波导端输出,能量主要“存贮”于波导中。

图5 I型转接头仿真结果

将上述两型波导连接起来,如图6所示,带内具有较好的反射特性、传输特性,带外入射能量全部返回且隔离度较高。

图6 两个转接头合在一起仿真结果

需特别说明的是,带转接头的波导尺寸均为19.05mm、9.225mm。根据前述仿真结果,I型、II型转接头、I型+II型转转接头的带外(3.2GHz)插损(S12)分别为-33dB、-54.2dB、-92.2dB。经测量,卫通天线上的U形波导长度约为150mm,由于受到软件仿真、仪器测量精度的限制,将上述3个器件一同分析,既仿不准,又测不准。因此,在I型+II型转接头之间再附加一段波导,通过调整附加波导的长度,尽量控制总插损在-150dB以内,以评估3个器件一同使用时的带外(3.2GHz)特性。其仿真结果如图7所示(其中预测是指由附加波导理论计算结果加上I型转接头,以及II型转接头衰减之后的结果),总结如表3所示。

表3 卫通用波导转接头分析表(3.2GHz)

图7 I型+II型转接头调整附加波导长度仿真结果

4 波导-同轴转接头测试分析

如图8所示为I型+II型转接头的S21理论计算、仿真和测试数结果,其中测试为I型与II型转接头互连并分别连接矢网信号通道。理论计算仅计算了63mm波导的衰减,即没有考虑同轴馈电的损耗。理论计算、仿真和测试结果吻合较好,两型转接头具有良好的带内传输与带外抑制特性。

图8 I型+II型转接头结果

5 结语

本文建立了Ku卫通两型同轴-矩形波导转接头的仿真模型,分析了其带内传输(12GHz~13GHz)和带外抑制(2.5GHz~4.5GHz)特性。结果表明,两型转接头带外(3.2GHz)插损分别为-33dB、-54.2dB,总插损-92.2dB,理论、仿真、测试结果吻合较好。

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