晶片_参考网

碲锌镉晶片精密抛光效果的影响因素分析

0176)碲锌镉晶片是碲镉汞红外焦平面探测器的衬底材料，通过碲化镉和碲化锌多晶体颗粒经过高温熔融生长单晶体，再经过切磨抛等精密加工制作而成，其密度为5.8 g/cm3，莫氏硬度值为2.3左右，具有软脆的特性[1]。碲和镉在形成晶体时，由于锌的存在，调整了晶格常数，增强碲和镉在形成晶体时化学键的稳定性，从而使得晶体在低位错密度生长，增加了禁带宽度，提高电阻率，是宽禁带三元化合物半导体材料。碲锌镉晶片采用化学机械抛光的主要目的是为了消除晶体表面的损伤层、微裂纹

电子工业专用设备 2022年5期2022-12-30

线切蓝宝石晶片面形质量评价方法的试验研究

术将其由晶棒变为晶片，随后通过研磨加工去除线切划痕，因此切割后的晶片质量对后续的研磨及抛光工艺有很大的影响。国内外学者对线切后晶片的表面质量进行了大量研究。文献[3-5]对多线切割加工运动方式进行理论分析，通过调整加工工艺参数提高线切晶片的表面质量。文献[6]通过仿真研究多线锯切过程中的切削温度对切割后晶片表面翘曲度的影响规律。文献[7-8]对线网不同位置处的晶片表面质量进行检测，分析了线锯磨损对晶片表面质量的影响规律。文献[9]研究了工艺参数对单晶硅表面

中国机械工程 2022年17期2022-09-20

抛光工艺对晶片表面粗糙度的影响

能电池等。CZT晶片的表面状态对其作为器件和外延衬底应用有着重要的影响。CZT晶锭切割后的晶片表面存在损伤层，表面损伤层内晶格的周期性被严重破坏，形成空间电荷区，造成表面漏电流，从而影响了CZT电极接触和器件性能。由于衬底表面的损伤层、杂质以及微缺陷将导致外延生长薄膜的高位错密度、晶格畸变等，完整的超光滑表面对外延技术提出了严格的要求。随着实际应用对晶片表面质量要求的不断提高，需要研制专用的晶片表面抛光设备和选择相应的表面抛光技术。目前，CZT晶片的表面抛

电子工业专用设备 2022年3期2022-09-09

消除外延衬底中心圈缺陷的晶片清洗工艺研究及应用*

材料如砷化镓、锗晶片等产品的质量，同时提高产品产量以按时完成产品交期，全自动清洗机的使用已是大势所趋。全自动清洗机的运作依靠程序的设定，对清洗流程时间把控准确，对清洗工艺进行固化，能大幅提高产量的同时还能保证产品质量。在清洗工序中，每个小过程的时间设定、流速等是影响晶片清洗效果的主要因素。目前全自动清洗机清洗出的晶片，长外延后容易出现中心圈缺陷，全自动清洗机面临着需要研究出一套与其匹配的清洗工艺，以满足晶片外延质量要求。本研究对比传统人工清洗与现有自动清洗

云南冶金 2022年4期2022-08-31

碲锌镉晶片表面精密抛光系统研究

抛光技术是碲锌镉晶片表面平坦化的关键工艺技术。碲锌镉（Cadmium zinc telluride，缩写为CZT）是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，是碲镉汞材料外延生长的优良衬底，需要具有完整的超光滑表面。随着实际应用对晶片表面质量要求的不断提高，需要研制专用的表面精密磨抛设备，选择相应的表面磨抛技术。目前，CZT 晶片抛光方法主要有机械双面抛光、表面精密抛光和化学抛光[1]。机械双面抛光是晶片上下两面在液体磨料、抛光垫及加压作用下，采用两面磨抛装

电子工业专用设备 2022年1期2022-07-13

基于机器视觉的晶片中心位置精密测量

方向发展[1].晶片作为当今电子设备不可缺少的关键器件,市场需求量日益增加,为了实现高效率的检测可以采用流水线自动化检测的方式,为了让机械手准确的抓住晶片,需要对生产线上的晶片进行精确定位.吴晓[2]提出一种LED 芯片椭圆定位方法,该方法通过径向幅射线的梯度变化阈值求出特征点,根据特征点拟合出椭圆,求出LED 芯片的定位中心和旋转角,但有时椭圆定位会比较困难,因为物体在视觉系统中的显示方式会受到多种变量的影响.蔡竞[3]提出的基于矩形拟合的贴片定位算法,

河南科技学院学报(自然科学版) 2022年3期2022-06-10

5英寸锑化铟晶片加工及表征

测器件对InSb晶片总厚度变化(total thickness variation， TTV)、翘曲度(Warp)、表面粗糙度、抛光表面质量等指标要求较高。随着探测器芯片尺寸的增加，TTV、Warp会直接影响光刻、倒装焊、台面腐蚀这几个探测器制备极其重要工艺的质量，从而影响探测器的性能[19]。表面粗糙度过高会导致器件漏电流增加[20-22]。抛光片表面的宏观缺陷会直接影响InSb光电器件的性能和成品率[19-20]。所以在需要大尺寸的InSb晶片材料的同

人工晶体学报 2022年12期2022-02-01

一种部分流水的多塔三维SoC测试时间优化算法*

看，基于TSV的晶片堆叠将占主要地位，而测试工作将面临的挑战之一为，需要一种新的可测性设计方法来缓解增加的测试仪测试时间和测试资源问题[1]。与传统二维芯片不同，三维SoC测试分绑定前、绑定中、绑定后和封装[2]。绑定中测试指每新堆叠一层晶片就要对这个部分堆叠整体测试一次。它能更早地检测出三维SoC绑定中引入的缺陷，但会导致测试时间剧增[3]，热量分布不均[4]，测试成本高[5]等问题。若绑定中某一晶片或TSV出现缺陷，将导致所有晶片或TSV失效，则成品率

计算机工程与科学 2021年11期2021-11-22

边缘梯度算法在LED 晶片定位的应用研究*

580)LED 晶片分拣机是将LED 晶片按等级从晶片盘分拣至料片(成品)盘的设备,而对晶片盘中晶片的识别和定位是分拣过程中最为关键的步骤之一[1]。在对晶片盘中的晶片定位时,晶片会出现微小角度歪斜,识别出歪斜晶片的角度可以减少漏检率,也可以使LED 分拣机的分拣过程更加流畅。传统LED 分拣机大多采用基于Hu 矩的形状匹配或者基于灰度的模板匹配对LED 晶片进行定位。基于灰度的模板匹配方法虽然可以完成LED 晶片的定位,但该方法计算量大,耗时较长。而Hu

电子器件 2021年4期2021-10-26

碲锌镉晶片双面磨抛加工表面损伤层研究

电池等。CZT 晶片的表面状态对其作为器件和外延衬底应用有着重要的影响。CZT 晶锭切割后的晶片表面存在损伤层，表面损伤层内晶格的周期性被严重破坏，形成空间电荷区，造成表面漏电流，从而影响了CZT 电极接触和器件性能。外延衬底需要具有完整的超光滑表面，衬底表面的损伤层、杂质以及微缺陷将导致外延生长薄膜的高位错密度、晶格畸变等。随着实际应用对晶片表面质量要求的不断提高，需要研制专用的晶片双面磨抛设备和选择相应的双面磨抛技术。目前，CZT 晶片的双面磨抛方法主

电子工业专用设备 2021年1期2021-03-10

业界要闻

HINA 上展示晶片到晶圆混合键合技术，用于加快异构集成的发展异构集成是指对具有不同特征尺寸和材质的多种组件或晶片进行制造、组装和封装，使其集成于单个器件或封装之中。这种技术对于提高新一代半导体器件的性能具有重要意义。晶片到晶圆（D2W）混合键合是实现异构集成的重要过程，半导体行业投入大量精力开发D2W 键合技术，目前已经可以将该技术部署于制造应用。中国半导体市场也为发展异构集成技术投入了大量战略投资，因此D2W 键合技术的发展对于中国半导体市场尤为重要。

电子工业专用设备 2021年1期2021-03-10

轴向预压缩双晶片动力学模型与特性分析*

6)引 言压电双晶片具有结构简单、质量轻、带宽高等优点，但由于压电陶瓷本身的激励应变小[1]，一般只有几百个微应变，因此压电双晶片存在输出位移小的缺点。传统上需要设计机械式的位移放大机构放大双晶片的输出位移，但这却在一定程度上降低了双晶片的输出力[2-4]。针对这一问题，Lesieutre等[5]提出了后屈曲预压缩(post-buckled pre-compressed，缩写为PBP)的概念，通过理论分析及实验得出的结论表明，对双晶片施加轴向预压力能够同时

振动、测试与诊断 2020年3期2020-08-06

碲锌镉表面钝化层深度剖析及钝化工艺优化

用[1-3]。在晶片的制作过程中，切片、划片等工作会在晶片表面形成损伤层。机械抛光和化学腐蚀用于去除表面损伤层，经溴甲醇和溴乙二醇溶液腐蚀后，晶片表面富Te[4]。富Te 层相比于CdZnTe 晶体本身是高电导层，这会导致晶片的表面漏电流过大，影响器件性能。为减小由机械抛光和化学腐蚀造成的表面漏电流，应采取适当方法对晶片进行钝化处理。目前的钝化工艺分为干法钝化和湿法钝化，干法钝化通常要求高温条件，对晶体本身影响较大，而湿法钝化在室温下进行，对晶体和电极影响

上海大学学报（自然科学版） 2020年4期2020-05-24

相控阵检测探头晶片检查的几种方法

个相互独立的压电晶片来实现超声波声束的偏转和聚焦。未被激活的晶片数量过多，会影响声束聚焦、偏转能力、灵敏度和分辨率，影响检测结果的准确性，因此相控阵探头的晶片检查是相控阵检测的必要环节。1 相控阵检测探头相控阵探头由多个独立的小的压电晶片按照一定形状和尺寸排列，由这些小的压电晶片组成组件(即探头)，辐射的总能量形成超声波声束，每个晶片有单独的发射和接收电路。使用相控阵设备可以按照一定规则和时间顺序对探头中的一组或所有晶片分别进行激发，即在不同的时间内相继激

海洋工程装备与技术 2020年6期2020-03-09

单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究

子迁移率，单晶硅晶片已经广泛地应用于从宏观到纳米级的器件中，用于照明，光电检测，太阳能转换等。例如，具有纳米级光滑、超平坦且无损伤表面的单晶硅晶片适用于金属有机化学气象沉淀，以生产高性能柔性太阳能电池和发光二极管(LED)[1]。在加工过程中，单晶硅晶片首先经历锯切过程，由于其高硬度和脆性，在晶片表面深处引入缺陷和/或断裂损伤，随后，利用研磨和抛光过程去除锯切引起的损伤并产生一个名义上的无损伤表面。目前，CMP是被用作生产纳米级光滑表面最有效的方式之一。在

兵器装备工程学报 2019年6期2019-07-05

钽酸锂黑片的制备与性能研究

础材料之一。LT晶片具有较高的热释电系数(2.3×10-4C/(m2·K))，在SAW滤波器制作程中会产生强烈的热释电效应[5]，易对叉指指条造成静电损伤，而SAW器件频率越高，指条越细，越易产生静电损伤，严重影响高频器件的开发。LT晶片经过还原处理，能有效降低热释电效应。还原程度主要取决于还原剂、温度、时间等。这种处理会明显增加晶体的光学吸收,使其表面变灰到棕黑甚至不透明,因此也称为黑片[6]。本文以SAW器件常用的42°Y-LT晶片作为研究对象，对不同

压电与声光 2019年3期2019-06-25

化学还原压电晶片测试浅析

处理之后的碳酸锂晶片广泛用于声表面谐振器、声光滤波器、光电换能器等传统或新型电子领域相关声/光/电等器件的研发加工制造，特别是压电晶体优良的机电耦合性能、铁电温度变换系数等化学性能而被用于制造高频/超高频声表面波类型的电子器件，并广泛应用在只能手机、卫星遥感，测绘通讯、航天航空等许多领域。目前在4.5G甚至于5G标准下的高频SAW器件还暂未发现其它更具有优异性能的压电的材料用于替代钽酸锂晶体[4]。钽酸锂晶体作为一种长期使用的压电晶体材料，其关键性能指标-

山东化工 2019年4期2019-03-28

晶片夹持技术概述

薛荣媛【摘 要】晶片的特点是薄、脆、易被污染。如何恰到好处地对晶片施加夹持力，又不会损伤晶片的表层物质，是晶片搬运机器人在晶片加工中要解决的首要问题。本文主要对晶片的夹持技术进行了介绍。【关键词】晶片；夹持；搬运一、晶片夹持技术（一）晶片夹持技术分解通过对晶片夹持技术的专利文献收集、标引和梳理，对设计晶片夹持领域的专利文献样本的分析可知，晶片夹持主要有机械夹持和吸附式夹持两大类。机械夹持即通过夹爪夹持住晶片的正反两面或者从晶片的周边进行夹持，主要通过机械力

智富时代 2018年5期2018-07-18

碳化硅晶片减薄工艺试验研究

序后加工成碳化硅晶片[1，2]。其中的研磨工序是用高硬度的磨料对线切割后的碳化硅圆片表面进行研磨，从而去除上一道工序在圆片表面留下的切痕和损伤层。为了提高研磨效率，研磨又分成粗研和精研两道工序。粗研使用粒径较大的磨粒进行研磨，主要是用于去除切片工序给碳化硅圆片表面造成的切痕以及损伤层[3]。精研是用粒径较小的磨粒进行研磨，主要去除粗研留下的损伤层，以及保证研磨后晶片的面型精度，为下一步的抛光做准备。表1 3代半导体材料物理特性对比现有粗研效率在3～10 μ

电子工业专用设备 2018年1期2018-03-16

基于最小二乘法的晶片台防撞保护研究

和有效分离。1 晶片台运动原理晶片承载机构主要由晶片台（又叫X-Y承载台）和顶针台两个部件组成，如图1所示，晶片台主要负责承载芯片的蓝膜框架，在芯片拾取过程中，在X、Y两个相互垂直方向进行运动，实现芯片准确定位和顶针台剥离芯片。顶针台负责把芯片从蓝膜上顶起，使芯片与蓝膜脱离，与键合头配合以便芯片有效拾取。图1 晶片承载机构示意图从图1中不难看出顶针台在工作位时，晶片台X、Y运动范围是固定的，如超出范围就会与顶针台发生碰撞；而顶针台在安全低位时，晶片台在X、

电子工业专用设备 2018年1期2018-03-16

Manz发布第三代SpeedPicker自动化解决方案

池制造过程中的硅晶片，并能在整个生产过程中，以柔性化的方式处理太阳能电池，提高客户的生产效率与产品质量。Manz开发的SpeedPicker SAS系统具有诸多技术亮点，它能使搬运处理系统更加快速、精度更高、对工件更加柔和与软性，因此也更加经济有效。由于Manz在2010年引入了其前导模型并采用Bernoulli吸盘，Bernoulli吸盘已被大众所熟知。现在，更将其设计改为双吸。通过Bernoulli效应，可以无痕转移传输太阳能晶片。通过精准定向，使空气

智能制造 2018年6期2018-01-04

晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响

 300220)晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响陈 晨，杨洪星(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津 300220)采用建立了硅硅直接键合的简化模型，依据薄板理论分析了键合发生的条件以及原始晶片的曲率与键合后晶片曲率的关系；理论分析认为晶圆键合前有必要根据弯曲变形量来匹配键合晶圆，并通过试验进行了验证。键合；弯曲变形；翘曲度晶片直接键合技术是指不需要中间粘附层，将表面平整洁净的晶片对直接粘合在一起，而且粘合强度与晶片体材料断裂强度相近。键合过程

电子工业专用设备 2017年4期2017-09-03

碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究

制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液。采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态，研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理，使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响。结果表明，硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应，生成TeO2。随后在一定压力下，抛光盘与CZT晶片发生相对运动，并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物。当NaClO含量在2%～10%时，随

红外技术 2017年1期2017-03-26

日本研发出在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术

日本研发出在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术日本三菱化学株式会社及富士电机控股公司、丰田中央研究所株式会社、京都大学、日本产业技术综合研究所组成的联合研究团队成功突破了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。该联合研究团队制作了高质量2英寸GaN晶片和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并面向功率半导体改良了GaN晶片量产技术——“氨热法”，优化了晶体成长条件，将晶片平均

军民两用技术与产品 2017年5期2017-01-01

单晶硅抛光片表面质量探究

响。RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺，其工艺稳定性受到多重因素影响。从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了RCA清洗过程的两个关键因素对晶片表面质量的影响。清洗技术；花篮；氢氟酸；颗粒度自20世纪50年代固体元器件诞生以来，LED、集成电路等领域的发展都离不开Si材料的进步。LED集成度越来越高，集成电路线宽也历经更迭，90 nm、65 nm到现今的14 nm。这些都对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求，抛光片表面颗粒沾污对器件制造有着重要影响

电子工业专用设备 2016年8期2016-08-24

三星与英特尔角逐芯片市场物联网是决胜焦点

焦点PC与伺服器晶片市场龙头英特尔(Intel)，在2015年宣布发展记忆体晶片市场后，展现抢夺三星电子(Samsung Electronics)擅长的晶片市场决心，后者随即也不甘示弱宣布将发展伺服器晶片，两家大厂角力战正在展开。评论指出，进入行动时代后，双方决战焦点将在物联网(IoT)市场上，不再是从各自擅长领域决胜负。据彭博(Bloomberg)报导，英特尔目前供应全球99%伺服器及95%笔记型电脑(NB)所需处理器，仍稳坐全球晶片第一大厂宝座，但三星

电子世界 2016年6期2016-04-20

表面处理对Au-CdZnTe电极接触性能的影响

影响。研究发现对晶片表面进行溴甲醇腐蚀处理和机械化学抛光均有助于提升Au-CdZnTe电极欧姆接触性能。对晶片进行机械化学抛光后再进行溴甲醇腐蚀处理，使用这种晶片所制备的电极具有更加优良的综合电学性能。碲锌镉；表面处理；机械化学抛光；欧姆接触0 引言碲锌镉（CdZnTe）具有较高的原子序数和禁带宽度，被认为是制作X射线、g射线核辐射探测器的一种理想的半导体材料[1]。核辐射探测器的性能不仅与体材料的质量有关，还与晶体表面和接触类型有关，科研人员在致力于提高

红外技术 2016年7期2016-03-20

IBM发明纳米碳管晶片可使晶片速度提高1000倍

BM发明纳米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍2016年11月16日，IBM的研究人员已经找到如何使用纳米碳管制造微型晶片的方法，这一成果可以让我们制造更强的晶片，使得曲面电脑、可注射晶片成为可能。这个位于纽约IBM实验室团队的发言人表示：他们在这种分子水平制造出的晶片，理论上其速度可以达到现有产品的6至10倍，最终该纳米技术可以实现会使晶片速度快上1,000倍。这种纳米规格的晶片能够解决便携终端计算量不够的问题，根据《自然》杂志上一篇文章，纳米碳管晶片

电子世界 2016年22期2016-03-12

浮栅氧化层前清洗金属污染的分析及改善方法

清洗工艺是降低硅晶片表面的金属污染,改善器件漏电,提高产品可靠性的关键步骤。在实际应用中,随着对产品可靠性的要求不断提高,利用传统方法来优化化学清洗溶液的参数很难满足器件对金属污染的要求。通过对超纯水冲洗过程中金属污染产生的机制理论分析,找出了影响金属污染的关键因素。实验中,利用稀释的HF清洗,改变硅晶片表面的化学键,改善硅晶片表面的金属污染,以提高少数载流子寿命。超纯水冲洗 金属污染 少数载流子寿命 边界层1 引言闪存存储器(Flash Memory)是

中国科技纵横 2015年10期2015-12-13

翻边压电晶片激励Lamb波声场研究

003）翻边压电晶片激励Lamb波声场研究许烨东魏勤†智达（江苏科技大学数理学院镇江212003）压电晶片广泛应用于超声波检测领域，是激励和接收超声波的最主要器件之一。本文用实验、有限元压电模拟和半解析数值模拟方法，研究翻边压电晶片在板中激励Lamb波声场。三种方法得到的Lamb波信号吻合性好，仅A0模式由于频散有少量差异。同时分析了翻边电极面积对声场分布以及声场能量的影响。翻边电极造成了Lamb波声场不对称，减少了声场的能量，同时降低了压电晶片的电容、机

应用声学 2015年6期2015-10-29

SiC晶片倒角技术研究

加工是SiC 单晶片加工的主要工序。受SiC 材料性质的限制(莫氏硬度为9．2，仅次于金刚石)，选用金刚石砂轮进行倒角，根据晶片所需的形状，可以将SiC 单晶片的倒角方法分为如图1所示的两种。因此，如何高精度、高质量、低损伤地对SiC 晶体进行倒角，使之减少对后续加工的影响。目前国内使用的倒角设备主要有日本东京精密（TSK）的W-GM 系列倒角机和日本大图电子（Daitron）的WBM 系列倒角机。倒角机设备使用的砂轮从制造方法上分主要有两种类型：一种是电

电子工业专用设备 2015年9期2015-07-04

激光加工中硅片晶圆的自动对准切割研究

像识别技术的自动晶片切割道校位以及自动设置切割街区功能的实现方法，使激光加工这一新型加工技术更加完善地融入到现代工业生产之中。1 软件主体控制时序该型激光加工平台是应用红外激光束，经激光导光聚焦系统产生聚焦光斑，并通过图像视觉模块完成晶片的横向/ 纵向切割街区的校位之后，然后控制工作台运动，对晶片进行直线切割。本软件控制系统主要由机器视觉模块、运动控制模块和激光器控制模块组成。机器视觉模块用来处理CMOS 摄像头的工作台图像；运动控制模块用来控制工作台X、

电子工业专用设备 2015年5期2015-07-04

石英晶片外观缺陷对频率的影响

00192）石英晶片外观缺陷对频率的影响宋佩颉，李东，王艳林（北京信息科技大学，北京100192）研究了石英晶片外观缺陷对频率的影响。石英晶片其自身存在的外观缺陷包括：崩边、玷污、缺角等，这些缺陷可能会影响到成品石英晶体电参数的性能，例如影响石英晶体的频率特性、电阻特性、DLD特性等。目前石英晶片在镀电极前均需要进行外观缺陷检测，国内大多采用人工目测检测的方式，光学方法的石英晶片的缺陷自动检测技术还不成熟。无论哪种检测方法，都具有比较大的主观性，目前还没有

现代电子技术 2015年9期2015-03-02

InSb(111)A面腐蚀坑成因分析

中，部分InSb晶片在经特定腐蚀液腐蚀后表面会出现不同的特征腐蚀坑，这些腐蚀坑若位于器件光敏面上，则影响器件的性能，对器件的稳定性也有潜在的影响［4］。本文通过多次腐蚀试验，观测了腐蚀坑的演变过程，从腐蚀机理上推断这两类腐蚀坑产生的原因，为工艺中避免类似问题的出现提供参考。2 实验2．1 腐蚀过程实验使用的InSb晶片为＜111＞方向n型InSb晶片，晶片表面经过研磨、抛光等标准InSb晶片加工工艺，表面质量达到后道器件工艺要求。清洗后的晶片使用腐蚀剂A(

激光与红外 2014年9期2014-03-20

抛光片IPA干燥技术研究

型，其脱离效果与晶片提拉速率和IPA流量密切相关。研究中发现，IPA流量在20 L/min、提拉速率在1 mm/s时干燥效果最佳；另外，Marangoni干燥过程不能完全去除晶片底部的残水，需要营造合适的蒸发环境，减压排风下供给适量的IPA蒸汽有助于底部残水的去除。晶片与花篮在干燥过程中有相互影响，完全分离的模式可以消除这种影响，但同时会使干燥时间增长。异丙醇；马兰戈尼；底部残水；水痕干燥步骤作为湿法清洗的最后一个步骤，最终决定了抛光片的表面状态，是清洗工

电子工业专用设备 2013年11期2013-09-17

激光加工中切割PZT陶瓷的时序设计

与移动工作台来对晶片进行直线切割。其中，软件控制系统主要通过图像视觉模块完成晶片位置中心和晶片整体偏转角度的提取，并依据提取到的晶片数据，结合对晶片切割参数的设置，来对晶片的偏转角度进行校正，然后通过设置切割起点来计算得到每条切割线的切割数据，最后控制工作台运动，对PZT陶瓷进行直线切割。本软件系统主要由机器视觉模块、运动控制模块和激光器控制模块组成。机器视觉模块用来处理CMOS摄像头提取到的工作台图像；运动控制模块用来控制工作台X、Y轴、旋转向θ向电机以

电子工业专用设备 2013年4期2013-08-09

碳化硅衬底精密加工技术

特点，使得碳化硅晶片的精密加工非常困难，利用常规晶体材料的加工技术和工艺，无法获得高质量的碳化硅晶片。1 实验原理我们根据碳化硅材料的固有特性，借鉴成熟半导体材料的加工技术，经过大量的工艺试验，突破了碳化硅材料加工的关键工艺。图1所示为碳化硅材料精密加工技术主要加工工艺流程图。图1 碳化硅衬底精密加工技术主要工艺流程1.1 多线切割工艺原理多线切割工艺就是将晶锭（见图2）按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。其基本

电子工业专用设备 2013年5期2013-03-23

晶片定位原理与算法

成加工过程，保证晶片的加工精度[1]。自动化设备应用较多的工序有倒角、激光打标、光刻等。目前晶片定位技术主要有两种：电子定位、电子机械定位。在定位过程中，需要找到晶片的主参考面或者定位槽（对6英寸以上晶片）。对于有参考面的晶片，电子机械定位技术应用较多，机械定位配合电传感器，定位精度一般可以达到100 μm范围，这样的精度能够满足光刻工艺预对准要求[2]。如果要同时满足带定位槽和带参考面两种晶片的定位要求，则往往采用电子定位系统，这是本文讨论的重点。1 晶

电子工业专用设备 2012年1期2012-08-08

激光加工中切割PZT陶瓷的时序设计

与移动工作台来对晶片进行直线切割。其中，软件控制系统主要通过图像视觉模块完成晶片位置中心和晶片整体偏转角度的提取，并依据提取到的晶片数据，结合对晶片切割参数的设置，来对晶片的偏转角度进行校正，然后通过设置切割起点来计算得到每条切割线的切割数据，最后控制工作台运动，对PZT陶瓷进行直线切割。本软件系统主要由机器视觉模块、运动控制模块和激光器控制模块组成。机器视觉模块用来处理CMOS摄像头提取到的工作台图像；运动控制模块用来控制工作台xy轴、旋转θ向电机以及z

电子工业专用设备 2012年11期2012-08-08

无楔块条件下超声相控阵的聚焦特性测试

焦”是指由于各个晶片距离焦点的声程不同，通过延时法则改变晶片的激发时间——距离焦点远的晶片先发射信号，距离焦点近的晶片后发射信号——可使各个晶片发射的信号同时到达焦点，在一个小区域形成一个高强度声场。假设晶片间的距离为p，聚焦深度为F，介质中的声速为c，则各个晶片的延时时间为：式中n为晶片序号；t0是为了防止出现一个负的延时时间而设置的时间常数。2 无楔块条件下相控阵聚焦能力测试试验使用的仪器是Olympus公司的OmniScan MX 32：128便携式

无损检测 2012年3期2012-07-24

加楔块超声相控阵的聚焦特性测试

焦”是指由于各个晶片距离焦点的声程不同，通过改变晶片间的延时时间，让距离焦点远的晶片先发射信号，而距离焦点近的晶片后发射信号，从而使各个晶片发射的信号同时到达焦点，并在一个小区域内 形成一个高强度声场。假设晶片间的距离为p，聚焦深度为F，介质中的声速为c，则各个晶片的延时时间为：式中n为晶片序号；t0是为了防止出现一个负的延时时间而设置的时间常数。2 安装楔块条件下相控阵聚焦能力测试2.1 测试装置试验使用的仪器是OLYMPUS公司的OmniScan MX

无损检测 2012年11期2012-07-01

激光加工中自动旋转校位切割的研究

像识别技术的自动晶片切割道校位、自动晶片轮廓提取以及自动设置切割街区的功能实现方法，使激光这一新型加工技术更加完善地融入到现代工业生产之中。1 软件主体控制时序该型激光加工平台是应用紫外激光束，经激光聚焦导光系统产生聚焦光斑，并通过图像视觉模块完成Al2O3晶片的横向/纵向切割街区的校位之后，然后控制工作台运动，对Al2O3圆晶进行直线切割。本软件主要由机器视觉模块、运动控制模块和激光器控制模块组成。机器视觉模块用来处理CMOS摄像头的工作台图像；运动控制

电子工业专用设备 2012年7期2012-06-28

基于仿生结构锡抛光垫的抛光接触压力分析

。在抛光过程中,晶片安装在料架上并被压向抛光垫的上表面,抛光垫在抛光台支撑下绕主轴旋转。抛光液喷洒在抛光垫表面,晶片表面材料经过抛光液的化学腐蚀和抛光垫的机械摩擦被逐渐去除,从而达到除去晶片被抛表面材料的目的。图1 化学机械抛光装置原理在一般的化学机械抛光中,抛光垫材料的横向牵连效应使得接触表面压力分布不均匀,抛光液难以均匀地分布于接触区域内,抛光形成的废物也难以顺畅地排出。同时,抛光产生的摩擦热在向外传导过程中的不顺畅会导致温度场分布的不均匀。这些因素通

中国机械工程 2011年14期2011-09-07

石英晶片表面处理方法对比

7）0 引言石英晶片在工业生产、科学研究等领域中的应用十分广泛。一方面，石英晶体元器件可应用于通信、计算机、彩色电视机、音像制品、电子玩具、汽车电子设备和医用电子设备等诸多领域[1]；另一方面，石英晶片作为固定物质的载体，广泛应用于检测仪器中，如表面等离子体共振仪（surface plasmon resonance instrument，SPRI）[2]、核磁共振成像仪（nuclear magnetic resonance imaging，NMRI）[3]

湖南工业大学学报 2011年4期2011-06-30

QK型石英晶体微量天平频温效应的初步研究

测其振荡频率获得晶片表面污染沉积量的变化，为污染过程控制及评价提供依据[1]。由于QCM所用石英晶片振荡频率与晶片特性参数（密度和声速）有关，而晶片的特性参数与温度有关，因此晶片的振荡频率也与温度有关。在石英晶体微量天平所获得的频率变化数据中，不仅包含由于污染物增加或减少造成的频率变化，还包含由于晶片的温度变化造成的频率变化。后者将影响石英晶体微量天平的测量，增加后续数据判读的难度，限制石英晶体微量天平的适应性。美国专门研制航天器用石英晶体微量天平的QCM

航天器环境工程 2011年4期2011-06-08

晶片映射系统原理及实现算法研究

械手臂从料盒取放晶片，而由于不同用户的不定需求，往往料盒中的料片不是全满的，机械手进行取片时普遍的做法是机械手臂运行到料盒某层取片位，然后开启真空，如果手臂上真空量大于某一域值，说明该层有晶片，手臂即可取走晶片；如果真空量小于等于该域值说明该层无晶片，此时手臂抬升到下一层位置，再通过真空量判断是否有晶片，往复执行到某层有片或该料盒最后一层被执行完毕。这种真空吸附判断法，有如下两种弊端：一、执行效率低，特别是料盒为空时，系统需要走完料盒中所有层才能判断该料盒

电子工业专用设备 2011年10期2011-06-04

可调色温显指的前沿白光大功率产品技术分析

指数/色温可调；晶片；荧光粉；支架中图分类号：TN312+.8 文献标识码：BThe Advanced Technology Aanlysis of Controllable CRI and CCT High Power White LEDLedman Optoelectronic Co., Ltd.(Ledman Optoelectronic Co., Ltd., Shenzhen 518108, China)Abstract: The applicat

现代显示 2011年2期2011-01-19

一种新型宽波束超声探头声场的研究

模仿真得到一种8晶片探头和12晶片探头的声场分布图，并据此对二者的声场性能进行对比分析，最后通过实验验证了仿真分析的正确性。1 超声探头相关参数1.1 探测的深度范围临床研究表明，胎心距离超声探头的正常范围约为6～15 cm[4]，如图1所示。图1 超声探头胎心监护模型Fig.1 The model of fetal monitoring of ultrasonic transducer超声多普勒胎儿监护设备所能探测的深度范围，由主机和超声探头共同决定。主

中国医疗器械杂志 2010年4期2010-08-08

原子氧环境对石英晶体微量天平性能影响的分析

越高的要求。石英晶片作为石英晶体微量天平的重要部分，其性能决定了石英晶体微量天平的性能。本文通过理论分析及原子氧对石英晶片的影响试验来评估原子氧辐照对石英晶体微量天平性能影响。1 试验准备1.1 石英晶片的结构及参数石英晶片靠两个弹簧固定在安装电路板上，其晶片电极也依靠弹簧引入到安装电路板上，安装电路板上将电极端引入到焊接端口，外形如图1所示。图1 石英晶片及底座外形图Fig. 1 The quartz wafer and holder安装电路板有两个安装

航天器环境工程 2010年6期2010-03-20

芯片制造业重新洗牌

地位的200毫米晶片不久将被直径为300毫米大型晶片所代替。新晶片直径的扩大将带来的最大的影响莫过于世界芯片制造业各路诸侯實力的重新洗牌。虽然不少以生产200毫米晶片为主的老厂家对300毫米的晶片采取了抵制的态度，但市场的无情压力迫使他们也不得不加入到300毫米晶片生产的角逐当中去。为了有效地减轻研发资金的压力和投资风险，世界上主要的芯片制造公司将采取联合开发的方式。不少芯片设计公司还将考虑剥离自己现有的生产加工业务，而把它们交给以中国为主的芯片加工厂去完

财经 2002年22期2002-07-01