登录/注册
安卓版下载
logo
  • 时政综合
  • 商业财经
  • 文学小说
  • 摄影数码
  • 学生必读
  • 家庭养生
  • 旅游美食
  • 人文科普
  • 文摘文萃
  • 艺术收藏
  • 农业乡村
  • 文化综合
  • 职场理财
  • 娱乐时尚
  • 学术
  • 军事
  • 汽车
  • 环时

2020年3期

刊物介绍

本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

Journal of Semiconductors

上一期 下一期 浏览往期
  • Epitaxial graphene gas sensors on SiC substrate with high sensitivity
  • Small-signal modeling and parameter extraction method for a multigate GaAs pHEMT switch
  • Influence of self-heating on the millimeter-wave and terahertz performance of MBE grown silicon IMPATT diodes
  • First-principles exploration of defect-pairs in GaN
  • High performance GaN-based hybrid white micro-LEDs integrated with quantum-dots
  • Fabrication of flexible AlGaInP LED
  • Enhancement of photocatalytic activity by femtosecond-laser induced periodic surface structures of Si
  • 35 km amplifier-less four-level pulse amplitude modulation signals enabled by a 23 GHz ultrabroadband directly modulated laser
  • Analysis of the time domain characteristics of tapered semiconductor lasers
  • Simulation analysis of a high efficiency GaInP/Si multijunction solar cell
  • High wall-plug efficiency 808-nm laser diodes with a power up to 30.1 W
  • Observation of exciton polariton condensation in a perovskite lattice at room temperature

关于参考网