ZnO∶Cd薄膜电学性能的研究

陈 瀚，倪 勇

（1.四川机电职业技术学院,四川 攀枝花 617000；2.四川石油天然气建设工程有限责任公司，四川 成都 610215）

ZnO∶Cd薄膜电学性能的研究

陈 瀚1，倪 勇2

（1.四川机电职业技术学院,四川 攀枝花 617000；2.四川石油天然气建设工程有限责任公司，四川 成都 610215）

ZnO是一种宽禁带半导体材料，它是高阻材料。为了增强ZnO薄膜的导电性能，采用Sol-gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO∶Cd薄膜，掺镉浓度分别为2%～10%。各种浓度的样品以金（Au）作电极做成叉指电极，并用绝缘电阻测试仪对掺镉后ZnO∶Cd进行表面电阻率的测试。根据测试结果对所制备的ZnO∶Cd薄膜的电学性能进行了分析。分析表明采用掺杂方法，制备ZnO∶Cd薄膜并进行热处理，大大降低了电阻率，从而增强了ZnO∶Cd薄膜的导电性能,优化了工艺参数。

Sol-gel法；旋转技术；ZnO∶Cd薄膜；热处理；电学性能

引 言

氧化锌（ZnO）属于六角晶系6mm点群，具有纤锌矿结构，是一种新型的II-VI族禁带半导体材料。氧化锌由于具有低阀值、量子限域效应、高效光电转换效率、强烈的紫外线吸收、紫外激光发射以及压电、光催化等方面性质，因而在半导体光电器件的集成和微型化领域占有重要的地位[1]。最近30多年来，围绕着氧化锌薄膜的晶体结构、物化性能、成膜技术以及相关的器件开发等展开了广泛深入的研究，使得它的各项性能和应用都获得了显著进展。许多应用氧化锌薄膜制作的电子器件已经得到了广泛的应用，如在透明SAW（Surface Acoustic Wave声表面波）器件上ZnO薄膜的应用，以及在透明电极、光电器件、蓝光器件等方面也有很大的应用潜力[2]。……