IR推出优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组

IR推出了一款优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。新型40 V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET，有助于最大限度减少 DC-DC转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用，如泵和风扇的变频驱动器，以及替代接线盒应用中的继电器。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“DirectFET2功率封装提供了低电阻及低于 D2Pak 10倍的寄生电感，从而保证优良的高频开关性能，减少波形振铃，而这也有助于限制电磁干扰和滤波器的大小。另外，新型车用DirectFET2芯片组还具备双面冷却和低导通电阻的特点，为DC-DC转换提供了理想的解决方案”。

AUIRL7732S2逻辑电平 MOSFET具备低栅极电荷（Qg）的特点，PCB占用空间比采用 SO-8封装小 38%，使其非常适用于同步降压转换器中的控制 MOSFET位置。AUIRL7736M2 MOSFET适用于同步开关位置，具有低导通电阻，PCB大小与 5×6 PQFN或SO-8封装一致。AUIRL7732S2和AUIRL7736M2的低电感可以在更高频率条件下实现比传统MOSFET更好的开关性能。车用DirectFET2产品线基于多年的研究与开发，旨在开发出一个专为汽车应用，且立足于高度可靠、成熟的消费级DirectFET产品的产品平台。新器件符合AEC-Q101标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定（RoHS）。

咨询编号：2011121010