王 洋 , 刘卫东 ,, 于 岗
(1.中国海洋大学 信息科学与工程学院,山东 青岛 266100;2.海信电器股份有限公司 山东 青岛 266071)
随着SOC技术的发展,集成SOC的整机系统规模越来越大,功能越来越强大。在这些整机系统中,NandFlash得到了广泛的应用。为了支持NandFlash通信,在SOC中必须设计NandFlash控制器接口。
笔者设计的NandFlash控制器支持AMBA APB接口和数据校验、纠错功能。经Modelsim仿真和FPGA验证表明,本设计完全满足NandFlash的时序和通信功能要求。
Flash内存主要有 NandFlash和NorFlash两种,NorFlash技术由Intel公司1988年首先推出,NorFlash特点是工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高;1989年,东芝公司发表了NandFlash结构。其强调降低每比特的成本和更高的性能。NandFlash存储器具有容量较大、改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在嵌入式产品中得到了广泛的应用,如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

图1 NandFlash控制器整体框架Fig.1 Entire architecture of NandFlash controller
NandFlash控制器的整体框架[1-3]如图1所示。其主要模块有:寄存器控制文件模块、Flash访问周期选择模块、Flash控制器引擎控制模块、2 k字数据缓存控制模块、ECC控制模块、逻辑控制模块、Reed-Solomon控制引擎模块、Flash数据多路选择模块。
NandFlash控制器的读写擦除的操作都是来自AMBA APB总线的请求,本控制器的主要功能是把来自于AMBA APB总线的请求转化为符合NandFlash时序要求的控制信号。该控制器适用于从64 M bits到32 G bits的所有类型的NandFlash。
2.2.1 寄存器控制文件模块
寄存器控制文件模块是面向AMBA APB总线的接口设计的,所有被AMBA APB总线访问的控制寄存器都是通过本模块进行配置的。……