一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

方 圆 ， 周凤星 ， 张 涛 ， 张 迪

（1.武汉科技大学 湖北 武汉 430080；2.德鑫微电子公司 湖北 武汉 430070）

在很多模拟芯片和数模混合芯片中都需要用到带隙基准电路提供精确、稳定的参考电压。然而在数模混合芯片中由于数字电路会产生很严重的高频噪声，通过带隙的电源耦合到带隙的输出参考电压，进而使数模混合芯片的性能受到很大程度的制约[1-2]。因此需要设计具有较高PSRR的带隙基准电路。针对该问题本文提出了用电压放大器放大带隙电压作为带隙的供电电源的方法得到了较高的电源抑制比。

目前一些文献在传统带隙的基础上提出了二阶曲率补偿，多点曲率补偿等技术使基准电压的温漂系数达到了10 ppm以下，但是这些结果都是在某种理想的工艺（比如tt）下取得的。在实际的工艺下，电阻的阻值和三极管的导通电压都会发生变化，比如从tt工艺到ff工艺电阻值会下降，三极管的导通电压会上升（smic0.35工艺）使正负温度电压不再能够抵消。从而导致实际流片出来的基准电压值是离散的，而且温漂系数很大。针对该问题本文分析了原因，并提出了通过调整决定正温度系数电压的电阻的方法来实现在不同工艺下低温度系数的参考电压的输出。

1 高电源抑制比的电路设计

该电路由一个高PSRR基准电压产生电路、一个电压按比例放大电路、和带隙核心电路组成，高PSRR基准电压电路的输出接到了电压放大器的正向输入端（图中V+端），运放的输出端（图中Vout端）通过R6，R5电阻分压接到了运放的负向端（图中V-端）以产生负反馈，运放输出端Vout为带隙核心电路供电。……