宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18 μm

上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0.18 μm“超低漏电”(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式闪存工艺平台。

0.18 μm“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0.18 μm“低功耗”（Low-Power，LP）工艺平台上实现了进一步技术提升，其N/P晶体管在1.8 V操作电压下可分别输出与“低功耗”工艺等同的525/205 μA/μm驱动电流，但其N/P管静态漏电分别仅为0.6 pA/μm和0.2 pA/μm，达到业界领先水平。

0.18 μm“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台生产的芯片具有超低漏电(小于1pA/μm)、静态功耗低的特点，在电池容量有限的情况下能够提供更长的待机时间。基于该平台生产的低功耗微控制器（MCU）、触摸屏控制芯片（TouchPanelController）主要适用于平板电脑、数码相机和手机等手持式便携设备。