接触接近式曝光机曝光方式浅析及实例

李 霖，周庆奎，宫 晨

(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 100176)

接触接近式光刻设备主要用于功率电子器件、传感器、光电子器件、微波电路、MEMS（微电子机械系统）及其它新型电子元器件的单、双面对准及曝光工艺，有着较大的市场影响力。各半导体厂商的产品不同，相对应的曝光工艺也有所不同，包括光强、曝光时间及曝光方式等。

1 曝光方式分类

在曝光工艺过程中，要根据不同的产品选择适合的曝光方式。综合国内外接触接近式曝光机的情况，虽然曝光方式的名称略有不同，但其实际定义的概念基本相同。从目前国内外接触接近式曝光机的曝光方式来看，主要可分为：真空接触曝光、硬接触曝光、软接触曝光、接近式曝光。

真空接触曝光：在基片与掩模版完成找平、对准后，让二者接触，用密封件将二者完全密封形成一个腔体，并在此密封腔体中通真空负压，增大基片与掩模版的接触力，然后进行曝光。此种曝光方式适用于对曝光线条质量要求较高、基片胶层较薄的情况，该方式下基片线条的曝光分辨率通常可达到0.5～1 μm以下。

硬接触曝光：在基片与掩模版完成找平、对准后，让二者接触，在基片底部均匀通入压缩气体（例如氮气）使基片与掩模版更紧密接触，然后再进行曝光。该曝光方式适用于对基片曝光线条质量要求较高的情况，基片线条的曝光分辨率通常可达到 0.8～1.5 μm。

软接触曝光：在基片与掩模版完成找平、对准后，让二者接触，此时既不通入真空也不在基片底部通入压缩气体，而是直接曝光。……