我国IGBT的产业现状和发展

武祥

(中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙 410111)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600 V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

1 功率器件

IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。其产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势，能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然方向。IGBT可广泛应用于电力领域、消费电子、汽车电子、新能源等传统和新兴领域，市场前景广阔。其广阔的应用空间推动中国IGBT市场高速增长。庞大的市场基础与需求方对IGBT技术国产化的迫切需求共同推动中国本土企业的技术创新。

世界上最早的半导体器件是整流器和晶体管，当时并没有功率半导体或微电子半导体之分。1958年，我国开始了第一个晶闸管研究课题(当初称为PNPN器件)。在大致相似的时间里，集成电路的研究也逐步开始。从此半导体器件向两个方向发展。前者成为电力电子学的基础，后者则发展并促成了微电子及信息电子学。……