精神分裂症记忆与阳性、阴性症状的研究

郑金炽 林泽涯 许国安 李益群 庄晓军

精神分裂症患者存在记忆受损已被许多研究所证实［1］，且记忆受损广泛而非选择性的，涉及到记忆的各个组成部分，包括外显记忆和内隐记忆。曾认为注意障碍是精神分裂症记忆损害的原因，精神分裂症的记忆障碍并非继发于注意障碍，记忆障碍和注意障碍是精神分裂症两个相对独立的症状，记忆损害在精神分裂症具有稳定性的特征［2］。本研究选用知觉驱动和概念驱动两种驱动方法［3］以区别记忆加工的不同通道，在此基础上还采用加工分离法测量精神分裂症患者的记忆功能，以减少意识对无意识的污染。现报道于后。

1 对象和方法

1.1 对象 被试者分为患者组和对照组，由80 例精神分裂症患者组成，均为精神科专科医院的住院患者，其中男43 例，女37 例，平均年龄为(29 ±4.05) 岁，受教育年限为(9.80 ±3.07) 年。病程均在10 年以内，病情稳定，且多为第1 次或第2 次入院，均服用单一抗精神病药，其中服用利培酮52 例，奥氮平28 例。对照组由80 名来自社区的健康志愿者，其中男40 名、女40 名，平均年龄为(28.37 ±5.61) 岁，受教育年限为(10.04±2.57) 年。

1.2 方法

1.2.1 实验材料和仪器 文字知觉驱动材料：选自《现代汉语词典》生僻汉字72 个(使用频率在0.001%以下)，将72 个字随机等分为三组，每组24个，分别作为两个学习阶段的材料以及测试阶段的干扰材料；文字概念驱动材料：选自《现代汉语词典》常用词组48 个，将48 个词组随机分为二组，每组24 个，分别作为两个学习阶段的材料。测验阶段使用的是48 个词组对应的图像加上24 张干扰图像，共72 张图像；……