掺铁Sr Bi2 Nb2 O9陶瓷的制备及频谱分析

黄 海，韩立波 （长江大学物理科学与技术学院，湖北 荆州434023）

顾豪爽 （湖北大学物理学与电子技术学院，湖北 武汉430062）

铁电存储器材料理想的性能是剩余极化大、矫顽场小、居里点高、漏电流小且多次反转无疲劳现象，但一种材料往往很难同时具备上述优点。Sr Bi2Nb2O9（SBN）具有优异的耐疲劳特性、较高的居里温度和较低的矫顽场，有望成为替代PZT和PZT基的候选材料。

就目前的电子陶瓷系统，为了满足各种实际应用对材料性能的不同要求，在生产和应用过程中，往往依据掺杂机理选择适当的掺杂剂，采用微量添加物来改进陶瓷材料的性能。按在固溶体化合物中添加金属离子化合物与被置换离子化合物，分成等价离子置换和不等价离子置换，不等价离子置换又分为高价离子置换 （软性添加物）和低价离子置换 （硬性添加物）［1］。为了制备出满足实际要求的陶瓷样品，SBN陶瓷的掺杂改性极为重要。为了更深层次的了解晶粒、晶界对材料电导和介电性能的影响，笔者介绍了x BiFeO3－（1－x）SBN （x＝0、0．1）铁电陶瓷的传统固相制备工艺，并在文献 ［2－4］的研究基础上，利用交流阻抗分析技术对陶瓷样品的频谱进行了分析。

1 样品制备

采用传统的常压固相烧结工艺［5］制备铁电陶瓷样品，具体工艺流程图如图1所示。

1）原料选择及处理 所用原料试剂一般要求纯度在99%以上，在配方中所占比例大，用量多且易吸潮。为保证化学计量比精确，称量前把这些原料放于烘箱中烘干 （110℃，4h以上）。

2）配料 用蒸馏水清洗好球磨罐待用，原料按组分化学计量比配方称量。……