■ 浙江正泰太阳能科技有限公司
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传统硅基薄膜电池一般采用氟掺杂的氧化锡(Tin Oxide)FTO作为前电极。FTO可以在线或离线用常压化学气相沉积(APCVD)的方法大量生产,质量稳定,已被大量用于单结非晶硅电池中。但FTO在叠层薄膜电池应用上也有许多问题,例如很难提高薄膜的一些关键光学特性,特别是雾度,导致FTO在叠层电池上的电流偏低。更重要的是FTO在PECVD生长非晶硅时容易被还原,导致膜的吸收增强,电池效率下降。
近年来为解决这些问题,氧化锌(ZnO)已被广泛采用作为薄膜电池的前电极,特别是硅基叠层薄膜电池[1]。流行的氧化锌制备方法有两种:一是低压化学气相沉积法(LPCVD)ZnO,一般采用硼烷(B2H6)做气相掺杂,也常被称为BZO;另一种是PVD溅射ZnO,然后湿法腐蚀制绒面,采用铝(Al2O3)掺杂的靶材形成固相掺杂,这种方式的ZnO常称为AZO。
硅基薄膜电池背电极的选择传统上选用PVD溅射AZO/Ag/Al 结构,这里AZO为铝掺杂的氧化锌(Al doped ZnO)。在一些低端硅基薄膜电池结构中,为降低成本也采用无银层结构,即简单的AZO/Al结构。在这种结构中光的背反射来源于两个方面:一是a-Si:H/AZO界面由于index的不同会对光产生一定的反射作用;二是银层或铝层(没有银层的话)的光反射作用,这部分起主要作用。在这种金属背电极结构中AZO还起到阻挡金属Ag或Al进入到硅电池中,并防止激发等离子激元。铝还要起导电及与引线的焊接层的作用。……