基于Multisim的西勒振荡器设计与仿真

2014-01-16 05:26:28王海梅侯艳红
电子设计工程 2014年24期
关键词:分析设计

王海梅,侯艳红

(陕西国防工业职业技术学院 陕西 西安710300)

高职高专高频电子线路是电子通信类专业的技术基础课程之一,涉及到通信系统中高频单元电路的功能、结构及性能分析等理论知识,同时也具有培养学生高频电路设计实践教学能力的目的[1]。该课程正弦波振荡器部分理论较抽象,借助实践环节演示不同振荡器的原理、特点、电路结构等较难实现,大部分学生接受知识效果差,设计电路费劲且不知道如何仿真分析。文中以Multisim 10为平台[2],设计了振荡频率为404.978 kHz,峰峰值为8.00 V的西勒振荡器电路,分析了参数调整引起的电路特性变化规律。Multisim电路仿真软件引入到理论教学中,既加深了学生对理论知识的理解,又激发了学生利用仿真平台进行电路设计的积极性,进而起到了联系理论学习和实践能力培养的纽带作用[3]。

1 电路设计

振荡器主要由放大电路、选频电路和反馈电路组成,只有同时满足振幅和相位平衡条件,系统才有可能产生振荡[4]。西勒振荡器原理图如图1所示。

1.1 静态工作点设计

图1 西勒振荡器原理图Fig.1 Schematic Seiler oscillator

一般原则是在满足起振条件下应选择较低的工作点,振荡电路起振后,振幅增大,振荡将在截止区进入振幅稳定状态,不致使振荡回路Q值减小,振荡波形好。一般小功率振荡器的ICO为(0.5~5)mA之间选取,本设计选ICQ为1.15 mA,VCEQ=9.7 V,β=50。 经计算:

取RE=2 kΩ,高频扼流圈LC以避免高频信号被旁路,且为晶体管集电极构成直流通路。一般取流过R2的电流为(5~10)IBO。

求得 R2=5.1 kΩ,R1=15 kΩ。

1.2 振荡电路设计

振荡回路参数的选择主要根据振荡频率、起振条件和振荡波形确定。……

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