氧化铟纳米线在紫外光探测下的特性分析

张卫红 郑玉浩 刘春光

(东北电力大学化学工程学院，吉林 吉林 132012)

一维纳米结构(如纳米线和纳米管)具有极大的表面体积比，是目前最有潜力的固体传感器材料[1]。除了具有化学和生物传感特性，其光检测性(即光开关性)也引起了较高关注[2～4]。由于一维纳米线材料具有光开关效应，因此可以将其应用于记忆存储和逻辑电路这样依赖于双向转换的器件中。关于纳米线材料的制备和光电化学性能的分析，国内学者提出了多种不同的方法。文献[5]将多孔氧化铝膜作为模板，用电化学沉积出Zn纳米线，再通过高温氧化制备了ZnO纳米线阵列，通过Gaussian原理对谱峰的拟合分析了ZnO纳米线形态对其光致发光光谱的影响；文献[6]综述了国内外硅纳米线阵列的制备，阐述了硅纳米线阵列在光电探测器、常规太阳能电池及光电化学太阳能电池等领域的应用，对提高硅纳米线的光电转换效率进行了展望；文献[7]采用阳极氧化法在金属钛基底上制备高度有序的TiO2纳米管阵列薄膜，然后采用脉冲电流法在TiO2纳米管阵列上沉积Cu2O。制备出了Cu2O-TiO2纳米管阵列异质结复合薄膜，并通过漫反射紫外-可见吸收光谱和光电流性能测试得出纳米管阵列薄膜具有可见光响应效应的结论。

但目前对氧化铟纳米线的光检测和气体传感光增强特点的研究很少。笔者在实验室成功合成了直径可控的单晶氧化铟纳米线，这使得研究单个纳米线制作的传感器对紫外光的响应成为可能。……