去噪后单晶硅表面形貌的反射率分析

【摘 要】 针对单晶硅表面在制绒时会有“凹坑”缺陷出现的现象，利用双正交提升小波bior4.4进行分段处理，将“凹坑”缺陷等价为“类三角形”的金字塔模型去噪。通过对去噪后的单晶硅绒面建立反射率的估计计算模型，进行反射率的估计计算。结果表明，将“凹坑”缺陷等价处理后能有效地降低反射率，同时得出单晶硅绒面的平均反射率与绒面的一致性存在一定的关系，有必要进一步控制绒面制造工艺因素，提高微结构的一致性。

【关键词】 单晶硅表面形貌 凹坑 去噪 反射率

太阳能电池硅基片的表面特性，很大程度上取决于表面形貌[1]，它们直接影响光的反射率[2]。而其中的主要影响因素是表面形貌的微结构。本文针对单晶硅绒面微结构有“凹坑”缺陷，基于双正交提升小波bior4.4对绒面去噪，并对去噪处理后的绒面进行金字塔的平均角度的计算，然后建立绒面反射率的估计计算模型，进行反射率的估计计算。从而对绒面制造工艺具有一定的现实的指导意义。

1 双正交提升小波

小波分析方法是一个非常重要的研究表面形貌的方法。[3]又由于表面形貌分析方法要求具有：相位为线性的、冲击响应为有限的以及很好的重构能力等优点。而小波里只有双正交小波符合，又因为提升格式具有简单、计算快、且可以进行原位运算等优点，所以本文我们选取提升双正交小波进行去噪处理[4][5]。

2 双正交提升小波的应用

先应用LPGI-WIVS型表面轮廓测量仪[7]，测量三组单晶硅表面形貌，再应用双正交提升小波对其进行去噪。……