砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)

2015-03-10 01:17中国科学院半导体研究所向贤碧廖显伯
太阳能 2015年11期
关键词:聚光失配叠层

中国科学院半导体研究所 ■ 向贤碧 廖显伯

1997年Olson 等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值(Ga0.93In0.07N0.023As0.977),既能得到约1eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24]。但是,带隙为1eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低。虽然经过多年的努力,研制出的1eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大。

如果放宽晶格匹配的严格限制,组成带隙更好匹配的GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs(1.9/1.4/ 1.0/0.7eV)四结叠层电池,不知能否取得成功?2011年美国Emcore公司在这方面取得了重要进展。他们应用反向应变(Inverted Metamophic,IMM)生长加衬底剥离技术,成功解决了晶格失配外延问题,所研制的空间用GaInP/GaAs/ GaInAs/GaInAs(1.9/1.4/1.0/0.7eV)四结叠层电池,其AM 0效率达到34.24%(2×2cm2)[24],电池的结构如图6所示。他们认为,IMM外延工艺的关键是控制好两个组分梯度层的质量。阴极荧光测量结果显示,优化的组分梯度层表面的位错线密度小于5×106/cm2。

3.3 聚光III-V族多结叠层太阳电池

聚光光伏系统是在1970年代与地面应用光伏系统差不多同时发展起来的。当时太阳电池的价格非常昂贵,聚光太阳电池被认为是降低太阳电池系统成本的重要途径。之后随着光伏工艺技术的进步、电池效率的提高和产业规模的扩大,太阳电池的成本已大幅降低,聚光电池降低成本的优势不再突出。而且聚光系统只能对直射阳光进行有效聚光,需对太阳的移动进行动态跟踪,这又增加了聚光光伏系统的制造和运行成本。

III-V族化合物叠层太阳电池比Si太阳电池效率高、耐高温,因而更适用于聚光太阳电池。随着聚光度的增加,系统的成本降低,III-V族叠层聚光太阳电池成本预计将会降至0.3美元/W[25]。这使应用III-V族太阳电池系统实现大规模地面发电成为可能。

图6 空间用GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs四结叠层电池结构

早期,俄罗斯约飞技术物理所和德国弗郎和费太阳能系统研究所在III-V族聚光太阳电池的研究和应用方面做了许多工作。而后,美国国家可再生能源实验室(NREL)和 Spectrolab 公司等开展了聚光III-V族叠层太阳电池的研究,日本Sharp公司等也开展了III-V族聚光太阳电池系统的开发和生产。他们不仅提高了III-V族聚光太阳电池的效率,还研制出了多种聚光系统,如抛物面反射镜式聚光太阳电池系统(图 7)和菲涅尔透镜式聚光太阳电池系统(图8)等。近年来,国内天津三安公司也取得了可喜的进展。

图7 抛物面反射镜式聚光太阳电池系统照片和原理示意图

图8 菲涅尔透镜式聚光太阳电池系统照片和原理示意图

3.3.1 晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge三结叠层聚光电池

2007年,美国Spectrolab公司报道,他们研制的晶格匹配(LM) 三结叠层Ga0.5In0.5P/ Ga0.98In0.02As/Ge(1.86/1.39/0.67eV)聚光电池效率达到40.1%(135倍AM 1.5D太阳光强,13.5W/cm2,25℃ )[26]。2009年9月,Spectrolab公司又报道,他们研制的晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge 三结叠层聚光电池(0.3174cm2),由于减小了栅极挡光面积,在364倍AM 1.5D光强下效率为41.6%[27]。

3.3.2 晶格应变GaInP/GaInAs/Ge三结叠层聚光电池

在保持Ge底电池不变的条件下,改善GaInP/GaInAs/Ge 三结叠层电池能带匹配的一条途径是,适当增加上、中电池的电流密度。这就要适当增加上、中子电池材料GaInP/GaInAs中In的含量,降低其带隙宽度。2009年,德国Fraunhofer太阳能研究所在Ge衬底上制备了晶格应变(MM)Ga0.35In0.65P/Ga0.83In0.17As/Ge(1.67/1.18/ 0.67eV)三结叠层电池,在454倍AM 1.5D光强下效率达到41.1%[28],电池结构如图9所示。在Ga0.35In0.65P上电池与Ga0.83In0.17As中电池之间晶格匹配,而Ge和Ga0.83In0.17As之间晶格失配度达1.2%,需生长一缓变层使晶格常数从Ge的5.658Å缓变到Ga0.83In0.17As的5.723Å,并在缓变层上生长一高In组分Ga0.77In0.23As薄层,使其上生长的外延层晶格得到充分弛豫,以免残留的结构应力在电池有源层中形成位错。

图9 Fraunhofer太阳能研究所研制的晶格失配三结叠层电池结构示意图

[24] Patel P,Aiken D,Boca A,et al. Experimental results from performance improvement and radiation hardening of inverted metamorphic multi-junction sorlar cells[A]. Proceedings of 37th IEEE PVSC[C],Seattle,Washington,2011.

[25] Luque A,Hegedus S. Photovoltaic concentrators,chapter 10in handbook of photovoltaics engineering[M]. Chichester: John Wiley and Sons,2011.

[26] Kurtz S R,Myers D, Olson J M. Projected performance of three- and four-junction devices using GaAs and GalnP[A]. Proceedings of 26th PVSC[C],Anaheim,CA,1997.

[27] King R R,Boca A,Hong W,et al. Band-gap-engineered architectures for high-efベ ciency multijunction concentrator solar cells[A]. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition[C],Hamburg,Germany,2009,55-61.

[28] Guter W,Schöne J,Philipps S P,et al. Current-matched triple-junction solar cell reaching 41.1% conversion efficiency under concentrated sunlight[J]. Applied Physics Letters,2009,94(22): 223504. (待续)

猜你喜欢
聚光失配叠层
基于无差拍电流预测控制的PMSM电感失配研究
T2-FLAIR 失配征预测IDH 突变-无1p/19q 共缺失型胶质瘤的研究进展
难加工材料(CFRP/Ti)叠层自适应制孔研究
画与理
飞机叠层材料精密制孔工艺研究
叠层橡胶隔震支座技术在工程施工中的应用
玻璃工匠(4)——玻璃镜聚光加热
基于特征分解的方位向多通道SAR相位失配校正方法
面向CPV的聚光透镜制造装备设计技术研究
跟踪式聚光光伏发电系统控制结构的设计与研究