含钴基非晶带线圈LC振荡电路的巨磁阻抗效应

王宗篪，曾艺秀，黄思俞，肖波齐

（三明学院机电工程学院，福建三明365004）

含钴基非晶带线圈LC振荡电路的巨磁阻抗效应

王宗篪，曾艺秀，黄思俞，肖波齐

（三明学院机电工程学院，福建三明365004）

把含Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶带的电感线圈与电容Cs串联再与Cp并联，组成仿石英晶体LC振荡电路。实验得到该电路有3个固有谐振频率，一个串联谐振频率fs，另一个并联谐振频率fp，还有第3个谐振频率ft。实验测量了在固有谐振频率以及其邻近频率下电路的阻抗比、阻抗角随外磁场变化的关系，还测量了电路的阻抗绝对比随频率的变化关系，得到了在串联谐振和并联谐振频率下巨磁阻抗效应增强的结果，且并联谐振态下巨磁阻抗效应最显著，第3个谐振频率下电路没有巨磁阻抗效应。

钴基非晶带；石英晶体振荡器；LC共振；巨磁阻抗效应

巨磁阻抗效应（giantmagneto impedance effect,简称GMI）是指在外磁场的作用下,软磁材料的交流阻抗发生比较明显变化的现象[1]。巨磁阻抗效应可分为横向驱动和纵向驱动两种。横向驱动，交变电流从样品中流过，产生的驱动磁化场对丝状样品来说是环向的，对薄膜或者条带样品来说是横向的。纵向驱动，是把样品放在长螺线管线圈中，交变电流从线圈通过，从而对条带样品产生纵向的驱动磁化场[2]。由于巨磁阻抗效应在室温下对小直流磁场具有巨大和灵敏的响应，许多研究者利用该效应开发出了磁场、位移等传感器，显示巨磁阻抗效应的广阔应用前景[3-5]。

近年来，人们在测量电路中并入了电容或在软磁材料中加入绝缘层构造电容，组成了LC共振回路，在共振的频率附近出现了显著的GMI共振增强[6-13]。……