清洗系统在晶圆减薄后的应用

刘玉倩，高津平

(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京101601)

清洗系统在晶圆减薄后的应用

刘玉倩，高津平

(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京101601)

根据集成电路晶圆的不同用途，分析了晶圆减薄后，残留的污染物对后续工艺的影响；提出了一种集成在减薄机内部的清洗系统，根据清洗目标，配套了完整的清洗方案。

晶圆；减薄后；清洗系统

从集成电路的发展趋势看，出于终端应用特别是移动设备对更高性能、更低成本、更小形状因子的器件需求，晶圆片直径在逐步增大，同时封装用的晶圆厚度逐步减小。由于市场需求的不断更新，芯片厚度减薄的趋势越来越快，导致薄晶圆的加工风险越来越高，对晶圆减薄设备的技术要求也越来越高[1]。

在进行晶圆减薄抛光后，晶圆表面不可避免残留有大量的抛光液以及磨削产生的颗粒污染物，不能以湿法状态进入下道揭膜工艺，更无法满足后续的划切、通孔电镀或TSV封装的来料工艺要求。必须通过专门的清洗工艺对抛光完的晶圆表面残留的抛光液以及磨削产生的颗粒污染物进行有效祛除，从而保证输出的晶圆满足下道工艺在洁净度方面的具体要求，为下一道加工降低技术难度和风险。

1 需求分析

减薄晶圆种类主要包括贴有减薄膜的普通后封装晶圆和附在承载片上的TSV键合晶圆。普通后封装晶圆减薄及去应力抛光后，经过清洗干燥，进入贴膜揭膜系统减薄膜贴划片膜，然后划片，因此普通后封装减薄晶圆对于后续清洗效果要求较低。……