红外焦平面探测器暗电流计算

毛京湘，舒 畅，王晓娟，谢 刚，黄俊博，周嘉鼎



红外焦平面探测器暗电流计算

毛京湘，舒 畅，王晓娟，谢 刚，黄俊博，周嘉鼎

（昆明物理研究所，云南 昆明 650223）

红外焦平面探测器的暗电流一般是在零视场（即盲冷屏）条件下进行测试，但这种测试方法必须改变组件结构，只适用于实验室测试。介绍了一种不需要改变组件结构，仅通过基本的性能测试就可以从理论上分析计算得到红外焦平面器件暗电流的方法。对320×256长波探测器组件的试验结果表明，用该方法得到的暗电流结果与用盲冷屏得到的暗电流结果非常接近，可作为红外焦平面探测器暗电流评估的快捷方法。

红外探测器；焦平面；暗电流

0 引言

对于红外焦平面探测器，暗电流是制约探测器性能达到较好指标的一个重要因素[1-5]。由于红外焦平面探测器产生的光电流信号都是通过读出电路转化成电压信号输出，直接测量器件每个探测元的暗电流比较复杂。国外一般是在零视场（0FOV，即盲冷屏）条件下测试焦平面探测器的暗电流输出电压得到[6-9]，但这种测试方法仍受到一定的限制，即必须改变组件的结构，将正常冷屏换成盲冷屏才能得到，而对于一般已封装好又希望了解其暗电流大小的组件，这种方法就不可能实现。本文介绍了一种通过基本的性能测试就可以从理论上分析计算得到焦平面器件暗电流的方法。

1 理论计算

红外焦平面探测器p-n结的伏-安特性可表示为[10]：

式中：sc为入射的背景光电流，A；……