一种TFT模拟仿真与计算方法*

马小龙

(西安工业大学电子信息工程学院　西安　710021)



一种TFT模拟仿真与计算方法*

马小龙

(西安工业大学电子信息工程学院西安710021)

摘要随着显示行业的发展,AMOLED技术成为目前的主流技术。其中的薄膜晶体管(TFT)成为AMOLED显示质量的主要影响因素,阈值电压作为TFT性能的主要特征参数之一,其提取和计算方法至关重要。论文利用ATLAS仿真工具进行TFT结构和特性的仿真,然后提取TFT仿真的转移特性曲线数据结果以及结合EXCEL工具计算出TFT阈值电压的值。其方法简单有效,计算过程直观,利于研究后期TFT的性能优化。

关键词AMOLED; 薄膜晶体管; 阈值电压; 提取; ATLAS; EXCEL

Class NumberTN6

1　引言

随着平板显示的发展,有机电致发光二极管(OLED)显示器作为新一代平板显示器以其独特的主动发光、低功耗、响应速度快、宽视角、可制成柔性面板等特点被视为21世纪最具前途的技术之一[1]。OLED作为电流驱动主动发光型器件,可将其按驱动方式分为无源矩阵有机电致发光器件(PMOLED)和有源矩阵有机电致发光器件(AMOLED),PMOLED采用行列扫描的方式驱动相应的像素发光,相当于给OLED脉冲电流的方式,而在AMOLED中,每个发光像素都有独立的TFT电路驱动[2]。相比两种驱动技术,后者相比前者其像素电路中器件功耗更小,器件寿命更长,因此AMOLED驱动方式成为目前OLED显示的主流技术。

AMOLED中TFT的性能直接影响着显示的效果和质量,其阈值电压作为TFT的主要性能参数之一直接决定AMOLED显示的开启电压,TFT阈值电压越小,显示功耗越小。针对TFT阈值电压的计算,国内外有多种计算方法,本文提出了一种结合ATLAS和EXCEL来计算TFT阈值电压的方法,该方法简单直接,具有一定的应用价值,大大节约了计算时间和成本,为TFT器件性能的优化工作提供了良好的技术依据。……