超低频经颅磁刺激对脑缺血大鼠认知功能的影响及机制*

王　莉，张　燕，余巨明，胡厚祥

(川北医学院附属医院：1.神经内科；2.心血管内科，四川南充 637000)



超低频经颅磁刺激对脑缺血大鼠认知功能的影响及机制*

王莉1，张燕1，余巨明1，胡厚祥2

(川北医学院附属医院：1.神经内科；2.心血管内科，四川南充 637000)

目的研究超低频经颅磁刺激(TMS)对脑缺血大鼠认知功能的影响并探讨其机制。方法将60只健康大鼠分为4组(各15只)：A组(假手术组)，B组(模型组)，C组(TMS组)和D组(TMS+H89组)。比较各组大鼠的逃避潜伏时间、跨越原平台次数及血管内皮生长因子(VEGF)、脑源性神经营养因子(BDNF)和巢蛋白(nestin)的表达水平。结果A组大鼠逃避潜伏期为(16.31±2.33)s，跨越原平台次数为(8.02±1.76)次；B组大鼠逃避潜伏期为(57.14±2.89)s，跨越原平台次数为(3.15±0.88)次；C组大鼠逃避潜伏期为(29.18±1.95)s，跨越原平台次数为(5.44±0.75)次；D组大鼠逃避潜伏期为(45.87±2.06)s，跨越原平台次数为(4.16±1.02)次。与A组比较，B、C、D组大鼠的逃避潜伏期明显延长，且B组长于D组及C组，差异均有统计学意义(P<0.05)；大鼠的跨越原平台次数明显减少，且B组少于D组及C组，差异均有统计学意义(P<0.05)。各组大鼠VECF、BDNF和nestin表达水平比较，差异均有统计学意义(P<0.05)。结论低频TMS可以明显改善脑缺血大鼠的认知功能，其作用与环磷腺苷效应元件结合蛋白及其下游基因(VEGF、BDNF)的表达有关。

经颅磁刺激；脑缺血；认知功能

经颅磁刺激(tanscranial magnetic stimulation，TMS)是一种利用脉冲磁场作用于中枢神经系统，从容改变皮层神经细胞的膜电位并引起一系列生理生化反应，影响脑内代谢和神经电活动，改变脑可塑性的技术[1]。研究发现，低频TMS可以降低皮层的兴奋性，促进精神、神经疾病(如脑梗死)的恢复[2]，但其机制尚未研究明确。蛋白激酶A(protein kinase A，PKA)可将其磷酸化成为活化形式，即磷酸化cAMP反应元件结合蛋白(phosphorylated cAMP response element binding protein，pCREB)，而H89则可阻滞这种磷酸化作用。pCREB与靶基因启动区DNA序列CRE(cAMP re-sponse element)结合，调节下游基因的转录。PKA-CREB信号通路与突触的可塑性和学习记忆功能关系密切[3]。……