聚焦创新探索 提升阻变性能

刘婉茹

金属/氧化物异质结是金属功能材料和器件物理研究的热点课题之一。金属/氧化物异质结非易失性阻变器件具有多态存储能力、稳定性能较好，开展相关研究对推进阻变存储器实用化进程具有相当重要的意义。

2006年起，颜志波就开始从事过渡金属氧化物的庞磁电阻、非易失性电阻开关及多铁性的研究。工欲善其身，必先利其器。在材料合成与样品制备方面，颜志波熟练地应用固相反应法、溶胶-凝胶法、PLD、磁控溅射等手段；在实验建设方面，他能够利用PPMS系统和各种电压/电流源表并应用LabView软件自行搭建各种实验测试与采集系统；在材料表征及样品性能分析方面，他熟悉SEM、TEM、SPM、铁电测试系统、电阻开关测试系统以及多种Agilent和Keithley源表等多种实验技术手段。手握各种技术方法，颜志波在研究中更加游刃有余。

突破RRAM性能

在一些由金属/绝缘体/金属三明治结构组成的器件中，人们只需通过不同电场脉冲就能控制器件的非易失性电阻状态，这也称做“阻变效应”，据此可制成用于数据存储的电阻式随机存储器（RRAM）。相比于当前广泛使用的巨磁阻（GMR）和闪存（Flash）等主流存储技术，RRAM因具有结构简单、集成度高、成本低、速度快、寿命长和功耗低等诸多优点，备受当今世界科技界的广泛关注，它自然也成为下一代非挥发性存储器最有潜力的代表之一。

颜志波对科研是一种浓厚兴趣之下的追逐。“从物理机制来看，产生阻变效应的具体物理机制多种多样”，他娓娓道来，阻变机制一般可分为细丝型阻变、非细丝型阻变以及两种情况共存。……