一种-100 dB电源抑制比的非带隙基准电压源

黄国城　尹　韬　朱渊明　许晓冬　张亚朝　杨海钢*（中国科学院电子学研究所北京100190）（中国科学院大学北京100049）



一种-100 dB电源抑制比的非带隙基准电压源

黄国城①②尹韬①朱渊明①②许晓冬①张亚朝①②杨海钢*①①
①（中国科学院电子学研究所北京100190）
②（中国科学院大学北京100049）

该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0.35μm CMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1.8～5 V，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100 dB，在小于1 kHz频率范围内PSRR均优于-93 dB。并且其片上面积仅为0.013mm2。

CMOS基准电路；非带隙基准电路；预调制电路；超级源极跟随器；电源抑制比

1　引言

近年来，智能手机、掌上电脑、便携式影音设备以及医疗设备等消费类电子呈现不断增长的趋势。在为这些设备供电时，不论是开关电源还是线性电源，都必须经过电源管理模块输出稳定的供电电压，才能保证设备的功能和性能达到预期指标。基准电压源是电源管理以及一些数模混合电路中的关键模块，它的电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio，PSRR）和温漂特性都将直接影响整体电路的性能。

传统的基准电压源采用由双极型晶体管实现的带隙基准电路，在集成电路工艺中，双极型晶体管可以直接采用双极型工艺产生［1］，也可以由标准CMOS工艺中的寄生三极管产生［27］-。……