MOS场效应管特性与参数测试实验电路设计

曹钟林

（无锡商业职业技术学院，江苏　无锡　214153）

MOS场效应管特性与参数测试实验电路设计

曹钟林

（无锡商业职业技术学院，江苏无锡214153）

场效应管（简称FET）是一种由输入电压来控制其输出电流大小的半导体器件，是电压控制器件，其输入电阻非常高，输入端基本不取电流。由于金属-氧化物-半导体场效应管（简称MOSFET）栅极和沟道之间的绝缘层易被电压击穿，特别是栅源之间的耐压只有几十伏，外部静电电压极易造成栅源极间击穿损坏。文章针对MOSFET在实验教学测量、测试过程中容易损坏的问题，根据MOSFET工作特性及测试要求，设计出较为便捷和安全可靠的MOSFET实验教学电路。

场效应管；MOS；测试；参数；保护

一、场效应管主要工作特性及一般测试

（一）场效应管概述

场效应管是一种电压控制电流的半导体器件，外形与封装基本类同三极管。场效应管有三个电极，分别为栅极（gate）G，源极（source）S和漏极（drain）D。概括地说，场效应管施加不同的栅源电压UGS和漏源UDS可以使场效应管工作在不同区域，即可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。如场效应管用于电压放大，管子工作应在恒流区，一般通过外部电路为场效应管建立合适的工作偏置电压，即给场效应管设置合适的静态偏置电压UGS和UDS，分压式偏置电路（见图1）是常见的方式。需要指出的是场效应管应避免工作在击穿区。

图1　N沟道增强型MOSFET共源放大电路

（二）场效应管的管型特征辨识

场效应管的管型有六种:N沟道结型场效应管 （符号见图2）、P沟……