EHF频段芯片引线键合与装配公差的仿真与分析

卢绍英，任　榕

（中国电子科技集团公司 第三十八研究所，安徽　合肥　230000）

EHF频段芯片引线键合与装配公差的仿真与分析

卢绍英，任榕

（中国电子科技集团公司 第三十八研究所，安徽合肥230000）

文章从工程角度出发，使用仿真软件分别对极高频（Extremely High Frequency，EHF）频段芯片的引线键合和装配公差进行了仿真分析，确定键合线的拱高、距离等参数，明确装配公差的合理范围，以便减小芯片级联时的射频损耗，并满足多个射频模块之间的一致性要求。

EHF频段；键合线；装配公差

近年来国内EH F频段技术发展迅速，其频段为30～300GHz，宽带宽、容量高、截获概率低、抗干扰能力强，在卫星通信技术中前景广阔［1］，其设备的需求日益迫切。EHF频段频率高，分布参数影响大，加工、制造工艺复杂，对芯片的匹配设计和装配的工艺控制提出了很高的要求。

本文旨在通过对芯片引线键合与装配公差的仿真与分析，确定键合线的参数与装配公差带来的影响，为EHF频段射频模块设计提供依据。软件采用三维电磁场分析软件高频结构仿真（High Frequency Structure Simulator，HFSS），建立了仿真模型并进行分析和优化，仿真结果直接指导EHF频段射频模块的设计、加工和装配，最终EHF频段射频模块性能满足指标。

1　仿真模型

HFSS采用有限元法，能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。其自带键合线模型，对分析键合引线参数十分便利。

仿真模型中，选择砷化镓作为微带线介质模拟芯片键合焊盘，介电常数12.9，微带线宽度0.2mm。过渡微带线选择高频板RT6002， 厚度0.254mm，微带线宽度0.66mm。……