含铁基纳米晶带线圈与电容LC混联电路的谐振频率

王宗篪，张晓玉，黄思俞，郑冬梅

（三明学院 机电工程学院，福建 三明 365004）

含铁基纳米晶带线圈与电容LC混联电路的谐振频率

王宗篪，张晓玉，黄思俞，郑冬梅

（三明学院 机电工程学院，福建 三明 365004）

含有Fe73Cu1Nb1.5V2Si13.5B9纳米晶带的电感线圈与电容Cs串联再与电容Cp并联，组成仿石英晶体振荡电路。通过实验发现，含铁基纳米晶带线圈与电容LC混联电路有3个谐振频率，一个串联谐振频率，另一个并联谐振频率，还有第3个谐振频率。把实验分别测出含铁基纳米晶带线圈自感系数Ls、铁基纳米晶带交流磁化损耗的等效电阻Rs与交流磁化场频率f的关系曲线进行数值拟合，得到Ls、Rs与频率f的函数式，再带入含铁基纳米晶带线圈与电容LC混联电路的复阻抗表达式中，用数值解法得到谐振时有3个正实根，说明了实验测得含铁基纳米晶带线圈与电容LC混联电路有3个谐振频率的结果。当外磁场作用在含铁基纳米晶带上时，含铁基纳米晶带线圈与电容LC混联电路串联谐振频率和并联谐振频率向高频移动，而第3个谐振频率不发生变化，通过实验测得自感系数和损耗电阻在谐振频率时随外磁场的变化关系解释了上述现象。

铁基纳米晶带；LC混联电路谐振；谐振频率；曲线拟合；磁致频移

巨磁阻抗效应（giant magneto-impedance effect，简称GMI），是指软磁材料的交流阻抗在外加直流磁场的作用下发生显著变化的现象［1］。这种效应具有高灵敏度、响应快等特点，在磁场、位移等传感器以及磁记录方面有着广泛的应用前景［2-4］。……