Flash存储器并行耐久测试方法

罗　军，王小强，蔡志刚，孙　宇，吕宏峰

（工业和信息化部电子第五研究所，广东 广州 510610）

Flash存储器并行耐久测试方法

罗军，王小强，蔡志刚，孙宇，吕宏峰

（工业和信息化部电子第五研究所，广东 广州 510610）

传统闪存（Flash）芯片耐久测试需要对整块芯片按扇区串行进行擦写测试，测试时间长、效率低、成本高，不利于其批量耐久测试和产业化发展。该文基于“资源换速度”的思想提出一种高效的Flash存储器并行耐久测试方法，通过对多片Flash芯片并行进行擦写测试，对不同芯片擦写不同扇区来提升其耐久测试效率，并进一步对耐久测试Flash芯片的不同扇区等效性进行分析，对等效性需要满足的条件和要求进行探讨。实验结果表明：并行耐久测试能有效缩短测试时间，其效率提升程度与并行测试的芯片数量成正比，加速测试结果与理论曲线符合较好。

闪存；存储寿命；耐久测试；扇区等效性；并行测试

0　引　言

随着移动存储技术的快速发展和移动存储市场的不断扩大，Flash存储器的市场需求快速增长［1］。由于具有低成本、高密度、掉电不丢失、便携、可靠等优点，其在移动产品中获得了广泛的应用［2-3］。随着大规模集成电路工艺的进步，Flash存储器的质量可靠性成为影响其大量应用的关键因素［4］。为保障芯片在全寿命期间能够稳定可靠地工作，Flash存储器在出厂前需要进行全面细致的测试；其中，耐久测试为保障Flash存储器芯片擦写次数满足寿命周期要求的重要途径。

为了使耐久测试的流程规范化，国外早在20世纪70年代就发布了用于评价非易失性存储器编程/擦除耐久和数据保持试验的方法。……