发展3D NAND闪存的意义

2017-04-13 15:54迎九
电子产品世界 2017年2期
关键词:存储器机遇长江

迎九

摘要:“首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开,长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法,及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。

关键词:存储器;3D NAND;DRAM

DOI:10.3969/j.issn.1005-5517.2017.2.002

存储器产业应用及竞争格局

存储器是具备可以储存图像数据或文字数据、程序等信息,在必要时取出的功能的器件。从半导体存储器技术的分类来看,目前DRAM和NAND闪存的总产值占全球存储器产业的95%(图1)。IBS数据预计,未来十年NAND闪存的需求量还将持续增长10倍(图2),主要应用在云计算、物联网及数据中心等领域。

2016年三星电子在DRAM和NAND闪存的市场份额同时占据第一位(图3),可见产品集中度越来越高。因此,存储器市场亟需打破现状。对于长江存储来说,现在是一个“最好”的时间点,有一些海外企业找到长江存储,希望与长江存储合作,以便为市场带来更多选择。

为什么选择3D NAND?

据统计,在全球存储器市场中,55%的市场需求在中国。国家大基金的成立,使中国在资金和政策方面对技术和产能积累给予最大支持,同时在人才汇聚、国际合作的机遇和产业生态支持方面,中国正面临最好的时期。国内在主流IC领域已经没有什么更好的切入点,存储器是机会。中国IC设计和制造快速崛起,但是在先进IC的制造领域,中国市占率仅为5%~10%。因为IC制造在中国是很困难的行业,研发投入巨大(如图4)、快速发展的技术及市场变化、芯片无关税/没有成本优势是最大原因。

要想创业成功,找对人、砸对钱和做对事是三个必要条件。首先,要有实干精神,有胸怀和勇气,更要有创业成功的经验。其次,应把更多投资放在先进技术和有经济效益的领域,在中国大力发展集成电路时期,如何做好自主可控、持续发展非常重要。最后,在国际化的体制下,如何通过市场化的竞争,集结全国资源,聚集全球人才,通过自主研发与国际合作相结合,抓住每一个并购投资的机遇极为关键。长江存储大规模投资建厂仿佛“阵地战”,每个极为可能的并购机会将成为“运动战”,做好“阵地战”与“运动战”相结合,才更有机会成功。

因而,从企业需求、外部机遇和市场动力来看,3D NAND是长江存储有机会成功突破的技术领域。3D NAND闪存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的优势,而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标(图5)。

怎样去做3D NAND?

从NAND闪存市场和技术动态来看,全球存储器公司的3D NAND产品都在积极准备中,2018年将会有更多64层3DNAND的产品量产上市。大家都有设备折旧的压力,长江存储并不担心,只要全力解决技术问题即可。长江存储的目标是在折旧期内实现盈利。在产品方面,目前3D NAND面临的技术挑战还有很多,在工艺上会有很大改变,工艺和器件上也会遇到挑战。长江存储不会简单地跟随行業的脚步,将通过跳跃式发展,目标在2019年实现与世界前沿差半代技术,2020年追赶上领先技术,与世界并行。

未来是否发展DRAM?

DRAM和NAND都应该做,因为以后的模组有些是NAND+DRAM。但作为一门生意,DRAM有两个增加的难度:一方面是竞争对手手里仍有大量折旧完的产能存在,2DNAND也是如此;另一方面,现阶段DRAM市场的增长需求变得相对缓慢,很难实现经济效益。所以现阶段,长江存储不会做没有经济效益的产能扩充,更会选择机遇寻找并购,以进一步实现DRAM产能的扩充。目前,长江存储的32层3D NAND产品进展顺利,电气特性等各项指标非常好。2019年工厂将实现产能满载,对公司来说压力巨大。

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