SnO2薄膜的制备及其光电特性

刘绰，马蕾,2，彭英才

(1.河北大学 电子信息工程学院，河北 保定 071002；2.河北大学 河北省数字医疗工程重点实验室，河北 保定 071002)



SnO2薄膜的制备及其光电特性

刘绰1，马蕾1,2，彭英才1

(1.河北大学 电子信息工程学院，河北 保定 071002；2.河北大学 河北省数字医疗工程重点实验室，河北 保定 071002)

以高纯Sn丝为蒸发源，采用真空热蒸发法在石英衬底上沉积了厚度为205nm的金属Sn薄膜.随后，在高纯氧氛围中于200～500 ℃条件下进行氧化处理.利用X线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同氧化温度下样品的结构、光学、电学特性.结构测量表明，不同氧化温度会产生不同结晶状态的氧化产物，提高氧化温度可得到单一、稳定的四方晶系SnO2.光学测量结果证实，随氧化温度的升高，薄膜样品的光学带隙增大，电流-电压测试表明薄膜电阻率随氧化温度的升高而降低.

真空热蒸发；Sn薄膜；SnO2；氧化处理

SnO2是一种n型宽带隙氧化物半导体材料，禁带宽度Eg=3.6～3.8 eV.SnO2薄膜由于具有可见光透光性好、紫外吸收系数大、室温下抗酸碱能力强等优点，在太阳能电池、电热材料、透明电极材料以及气敏材料等方面有广阔的应用前景[1-4].实际应用中，SnO2作为气敏传感器、锂离子电池负极材料、太阳能电池透明及减反射膜等用途时，90%以上采用四方晶系.

SnO2薄膜的制备工艺有多种，如磁控溅射、化学气相沉积、金属有机物热分解法、超声波喷雾热解法、热蒸发法、溶胶-凝胶法等[5-6]，其中热蒸发法镀膜具有设备简单、操作容易、成本低廉……