交叉杆结构忆阻器件的研究进展

敬秦媛，程海峰，刘东青，张朝阳



交叉杆结构忆阻器件的研究进展

敬秦媛1，程海峰2，刘东青2，张朝阳2

（国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室，湖南长沙 410073）

忆阻器被认为是除电容器、电感器、电阻器之外的第四种无源器件，具有器件结构简单、操作速度快、功耗小等优点，是具有电阻记忆特性的非易失性的电阻元件。而交叉杆结构忆阻器件作为忆阻器的一种结构，由于其较之其他结构的忆阻器具有结构简单、集成度高、容错性和并行性优良等特性，受到了外界广泛的关注及研究。文章综述了近年来交叉杆忆阻器的兴起和发展现状，阐述了以交叉杆结构为基础的各类忆阻器的制备及应用。

交叉杆；忆阻器；综述；记忆；柔性；并行性

忆阻器是一个有关磁通和电荷的非线性双终端的无源电子器件。1971年电路理论学家蔡少棠[1]在《Memristor—The Missing Circuit Element》文章中，根据电路理论的数学关系式，对忆阻器的循环方式做出了以下的假设：忆阻器的阻变特性不是恒定的，而是取决于曾经流过电路的电流，当下的电阻性能取决于电荷曾经流往的方向，即电路元件能“记住”电流的历史记录——这种特性被称为非易失性。2008年惠普实验室研究小组结合蔡少棠提出的忆阻器的概念通过分析计算发现了第四种基本元件——《The Missing Memristor Found》这一结果被发表在《Nature》上[2]。2005年Terabe等[3]通过使用阻变器件转换从而实现多重构逻辑电路。2012年Miyamura等[4]利用互补原子开关构建出了多种逻辑功能，从而大大缩小了器件每个单元的面积，大大促进了忆阻器的发展。……