超结中国专利技术综述

国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心 周天微 王 琳

超结中国专利技术综述

国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心 周天微 王 琳

超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域中国的相关专利技术进行分析，从申请趋势、主要申请人、法律状态、技术效果等多个角度进行深入挖掘，梳理超结技术的现状及发展趋势。

超结；法律状态；技术效果

功率MOSFET主要用作开关器件,其开关功耗相对较小，通态功耗则比较高,而要降低通态功耗,就必须减小导通电阻Ron。但是,击穿电压和导通电阻始终是一对矛盾。按照传统理论器件的特征导通电阻受击穿电压的限制存在一个极限,即“硅极限”。

1984年，飞利浦美国公司第一次给出了在横向高压MOSFET中采用交替排列的PN结构代替传统功率器件中的低掺杂漂移层作为电压支持层的方法；1991年,电子科技大学的陈星弼教授提出在纵向功率器件中用多个PN结构作为漂移层的思想,并把这种结构称为“复合缓冲层”；1997年,Tatsuhiko等人对这一思想的进行了系统总结，提出了“超结理论”[1]。超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOS器件的里程碑器件[2-3]。

截至2017年5月1日，在中国专利数据库（CNABS）中检索并经过人工筛选后得到超结的全球专利申请共计919件，以此作为本文专利分析的数据样本。

1.申请趋势

从图中可以看出，1991年电子科技大学的陈星弼院士提出“复合缓冲层”；……