斜入射时抗电磁辐射材料电磁参数匹配的研究①

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(佳木斯大学理学院，黑龙江 佳木斯 154007)

0 引 言

隐形技术俗称隐身技术，专业的术语称其为“低可探测技术”。[1]可以理解为通过某种方式减少自身被探测的可探测信息特征，其目的也就是为了减少被探测的可能性，使伪装由防御走向了进攻，由被动防守变成了主动出击。隐形技术包括雷达新型、红外隐形、可见光隐形、磁隐形以及声隐形等。文中研究的就可以作为磁隐形中的一种通过抗电磁辐射材料反射雷达探测波以达到隐形的目的。[2-3]

目前前沿科研机构在理论研究方面，对斜入射时抗电磁辐射材料电磁匹配性能的研究还很少，主要在理论上研究了斜入射时电磁损耗材料吸波性能，用三维网格法对其进行了评估以及应用方面的测量。[4-5]

从基本的电磁波理论出发，从分层介质这一方面进行研究，推导斜入射时抗电磁辐射材料的后向反射率公式，应用Matlab的三维网格法分别讨论电磁参数以及入射角等变量对此材料后向反射率的影响机制，从而给出可以指导工程实践的优化设计方案。

1 单层抗电磁辐射材料的反射系数推导

图1所示，有一厚度为d的抗电磁辐射材料，一定频率的电磁波入射到其上，夹角为任意角度。称入射前介质为1，抗电磁辐射材料为介质2，从材料中射出之后到达介质3。电磁波传播方向与介质分界面法线夹角分别为θ1、θ2、θ3,同时规定电磁波入射面与xz平面重合。另一方面各层介质上反射的波的振幅以及穿透各层介质的波的振幅用法向阻抗表示，这三种介质的法向阻抗分别用用Z1、Z2、Z3、表示。……