
摘要:从粲偶素能谱角度来分析,人们发现对于阈值之下的所有态,理论计算与实验结果吻合得很好,而对于阈值之上的许多态,它们难以在理论计算得到粲偶素谱中找到合适的位置。如何解释这些状态,成为了研究热点,人们尝试给这些粒子一些解释,例如:粲夸克偶素,胶球态,四夸克态,分子态,混杂态等等。传统的势模型只考虑介子由两个夸克组成,我们认为介子组分中的高Fock态的贡献应该不容忽略,即在介子中应该存在四夸克成分。本文通过考虑耦合道效应计算发现质量转移比较大,因此可以说明介子中四夸克成分占有一部分的比例。
关键词:粲偶素;阈值;耦合道
传统夸克势模型虽然对于一些粲偶素的能谱计算符合的比较好但是对于高激发态不能合理解释。传统势模型只考虑了介子是由两个夸克组成的,我们认为高Fock态不应该被忽略如果介子的组成为
这里的四夸克成分则是从真空中激发的一对正反夸克对与原来的两个态结合产生的,我们可以将其看作是的虚衰变过程,而则是两体衰变的中间态,整个体系则是两夸克成分与四夸克成分的耦合,介子间的这种相互作用将会产生一个很重要的效应——耦合道效应。本文首先用Fortran[1]计算了传统的势模型中粲偶素的能谱,其次通过mathematica计算了考虑耦合道效应的质量平移,最后重新调整参数计算了考虑耦合道效应之后的粲偶素能谱。
1.理论方法
1.1 非相對论势模型……p>