Al/SnO2/FTO结构双极型电阻开关的制备及其性质研究

赵飞 周磊 王鑫

（1.中航飞机股份有限公司，西安，710089；2.武汉光电国家实验室（筹），武汉，430074)

电阻开关现象是指电阻值可以在两个阻值下由外部电压驱动发生可逆的转变。由于电阻开关在非易失性存储器中的应用，而引起研究人员的广泛关注和研究兴趣。

在电阻开关研究中，对阻变材料的研究一直是人们研究的重点。

经过近几十年的研究，电阻开关现象在多种材料中发现。这些材料主要集中在过渡族氧化物半导体。

SnO2（Eg～3.6 eV，300 K）由于在可见光区域具有高透过率和导电率等性质而在透明导电电极、半导体气体传感器中有广泛的应用，而SnO2在电阻开关方面的研究很少受到关注。

另外，根据电阻改变与所施加电压极性的关系，可以将电阻开关类型分为双极型和单极型。在单极型中，电阻大小的改变与所施加电压大小有关，而与电压极性无关。 而在双极型中，电阻大小改变需要不同极性的电压才能实现。由于双极型电阻开关在开关电流、阻态转变速度，以及在构建互补型结构的忆阻器中比单极型电阻开关更具有优势而受到关注[1]。

本研究通过溶胶凝胶方法在FTO衬底上制备SnO2薄膜，并对Al/SnO2/FTO结构的电阻开关性质进行了研究，发现其电阻开关类型呈现双极型。对Al/SnO2/FTO结构的电流输运特征进行了分析，并对引起双极型的原因进行了讨论。

1 实验部分

1.1主要原料

五水氯化锌,分析纯,武汉申试化工有限公司；无水乙醇,分析纯,武汉申试化工有限公司；柠檬酸,分析纯,武汉申试化工有限公司；……