晶体材料中的常青树
——铌酸锂晶体

从上世纪70年代开始，我国科研人员就开始了铌酸锂晶体生长、缺陷、性能及其应用研究。南开大学是国内最早开展研究的单位之一，几十年来，围绕通讯、激光、国防等领域对高光学均匀性、高抗光损伤、高温度适用性光学级铌酸锂晶体的需求，将铌酸锂晶体的光学均匀性提高了近2个数量级，发明了掺镁铌酸锂晶体,将抗光损伤能力提高6个数量级以上，并实现了高光学质量近化学计量比铌酸锂晶体的实用化制备。

早在上世纪八十年代初，南京大学根据铌酸锂晶体中周期铁电畴能有效地实现激光频率变换，验证了准相位匹配原理，提出了介电体超晶格的概念，并利用非周期结构发展出了多重准位相匹配理论。九十年代初发明了室温极化技术，为铌酸锂超晶格实用化特别是在全固态激光器中的应用奠定了基础。2014年他们首次展示了基于铌酸锂超晶格集成光子芯片，实现了芯片上纠缠光子高效产生和高速电光调制。

最近由山东大学和山东晶正电子科技公司研制的薄膜铌酸锂晶片(LNOI)，为集成光学发展提供了新的平台。利用各种微纳加工技术在铌酸锂薄膜表面制备出了各种不同功能的铌酸锂薄膜光电子、声电子器件和集成光子学芯片，赋予了铌酸锂晶体全新的光学与声学性质。

几十年来在全国众多研究单位和研究人员的共同努力下，使得我国铌酸锂晶体的研究无论是体块材料还是薄膜材料，无论是器件研究还是芯片研究，在国际上都占有举足轻重的地位，很多人已将铌酸锂晶体称为“光学硅”，成为晶体材料森林中的一棵“常青树”。

本期封面图片来自综述论文《铌酸锂晶体及其应用现状》，再现我国科研团队在铌酸锂晶体实用化研究方面的杰出成果。