原始粉对ITO靶材微观结构的影响

李佳南

摘 要：以ITO气化粉和进口湿法粉作为原始粉，在相同的工艺条件下，制备出ITO靶材，对比研究了两种不同原始粉对烧结后靶材微观结构的影响，结果表明：当在0.6MPa氧气氛，1530℃、1550℃保温20h条件下烧结，湿法粉和气化粉靶材密度均较高且差异很小，靶材晶粒尺寸基本相当，气化粉靶材晶内小微粒尺寸较湿法粉小，但小微粒聚集程度高于湿法粉靶材;当在常压氧气氛，1550℃保温20h条件下烧结，湿法粉靶材密度高于气化粉，靶材晶粒尺寸基本相当，存在个别较大晶粒，湿法粉靶材已致密，而气化粉靶材未完全致密化，二者晶内小微粒形貌和尺寸差异仍比较明显，气化粉靶材晶内单独的小微粒尺寸同样较湿法粉小，但聚集程度仍高于湿法粉。

关键词：ITO气化粉;ITO湿法粉;ITO靶材;靶材第二相

锡掺杂氧化铟（Indium Tin Oxide，简称ITO）作为一种n型半导体材料，是制造LCD的关键材料，通过溅射方法制备的ITO薄膜[1]，具有电学、光学、力学等性能方面的优点，广泛应用于太阳能电池、导电玻璃和等离子显示器等领域[2]。本实验以ITO气化粉和进口湿法粉为原料，采用干压成型方式，并以相同工艺制备出两种ITO靶材，实验对比研究了两种不同原始粉对烧结后靶材微观结构的影响[3]。

1 试验材料与方法

试验分别采用中船重工第725所研制的ITO气化粉以及进口（美国铟泰）湿法粉作为原料粉，BET均为10m2/g左右。本试验使用纳米球磨的方式首先制备了固含量为50%的ITO浆料，再经造粒、模压、等靜压等工艺制备出ITO坯体，坯体经干燥、脱脂后在0.6MPa氧气氛条件下分别于1550℃和1530℃烧结，以及在常压氧气氛条件下于1550℃烧结，制得ITO靶材[4]。……