SeH+离子低激发态的电子结构和跃迁性质的理论研究*

滑亚文刘以良万明杰

1) (西南民族大学电气信息工程学院,成都 610225)

2) (宜宾学院计算物理四川省高等学校重点实验室,宜宾 644007)

采用内收敛多组态相互作用及Davidson 修正方法精确地计算了SeH+离子能量最低的3 个离解极限对应的12 个L—S 态的势能曲线.计算中考虑了芯-价电子关联、标量相对论修正和自旋-轨道耦合效应.结果表明在30000—40000 cm–1处W 态的曲线存在许多避免交叉,导致a2,b0+,A12,A21,A30–,A40+和c1 态变为了双势阱.通过求解径向薛定谔方程得到了12 个L—S 态和9 个W 态的光谱常数.基于势能曲线和跃迁偶极矩,预测出了和跃迁的弗兰克-康登因子、辐射速率和辐射寿命.首次系统地报道了SeH+离子的光谱与跃迁性质.

1 引 言

硒 (Se) 是一种重要的半导体材料.作为第Ⅵ主簇氢化物,SeH 在天体物理中具有潜在意义,但与OH 和SH 相比,SeH 分子的高分辨率数据有限[1].它虽然也是一个相对简单的分子,但其包含了一个重原子Se.SeH 是一种具有重要实验和理论意义的自由基.由于其特殊性,实验上众多学者对SeH 和SeD 分子的光谱性质和跃迁性质进行了广泛的研究[1–8].Lindgren[2]在3000—3250 Å区域观察到SeH 分子的漫反射光谱,得到其离解能为3.2 eV ± 0.2 eV.Brown 等[4]采 用 激 光 磁 共 振(LMR)技术观测到SeH 分子的基态X2P 的自旋-轨道耦合(SOC) 分裂常数为1780 cm–1,结合电子顺磁共振光谱,得到其分裂常数为1764.02 cm–1.Cliff 等[5]采用远红外LMR 技术观测到一系列SeD 同位素分子的基态X2P3/2的转动常数.同年,Bollmark 等[6]在1330—1600区域观测SeH 和SeD 分子的电子跃迁,得到了SeH 分子的F2S–,J2D 以及SeD 分子的E2D,F2S–里德伯态到基态的垂直跃迁能Te,分别为67262.9,72408.5 cm–1和66852.6,67279.2 cm–1.Ashworth和Brown[8]采用LMR 技术测量……