何 茗, 张 婷
(1.成都工业学院 电子工程学院,四川 成都610031; 2.成都医学院 人文信息管理学院,四川 成都610500)
新一代电子信息产品正在向小型化、集成化以及片式化方向发展,其中多层结构是实现微波介电设备小型化和集成化的理想方式.但是在多层结构中,要求介电材料在较低的烧结温度下(900 ℃左右)烧结致密,以便能与高电导率的银或铜的内部电极共烧[1-2].同时,新的微波器件设计也对材料的性能(如介质损耗、谐振频率温度系数τf)提出了新的要求.
虽然很多陶瓷具有优越的微波介电性能,如Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、(Zr,Sn)TiO4、CaTiO3-NdAlO3等[3],但是它们的烧结温度很高,一般高于1 300℃.为了降低烧结温度,掺入烧结助剂实现低温烧结是有效也是廉价的方法,在工业生产中大大节约了生产成本.近来,立方晶尖晶石结构的Li2ATi3O8(A=Zn、Mg、Co)陶瓷具有低的烧结温度(≤1 100℃)和优异的微波介电性能被广泛关注[4-7].其中,Li2ZnTi3O8微波陶瓷的烧结温度约为1 075 ℃,仍然无法与Ag作为多层器件的内部电极低温共烧.因此必须选择合适的低熔点氧化物或玻璃作为烧结助剂.据报道,B2O3由于其熔点低(约825 ℃),在烧结过程中会形成液相从而降低了陶瓷的烧结温度[8].不幸的是,所制备的陶瓷仍然拥有一个大的正的τf值,阻止其进一步在实践中的应用.因此,有必要调整Li2ZnTi3O8微波陶瓷的τf,并同时保持优良的品质因数(Q×f)值.众所周知,TiO2具有较大的正τf值,常用来调整τf为负的微波介质陶瓷的谐振频率的温度系数[9-12].
本文采用B2O3作为助烧剂降低Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结温度,通过引入TiO2到Li2ZnTi3O8微波……