电磁屏蔽技术在微电子设备雷电防护中的应用

（贵州省安顺市气象局，贵州安顺市，561000）郭军成 麴 春 杨舜弗 高钰涛

在微电子设备雷电防护方面，人们往往比较注重直击雷、过电压、过电流、电位差和静电等方面的防护，而忽视了雷电在对地放电过程中带来的电磁影响。直击雷防护就是通过接闪和分流入地的方式实现，使微电子设备不会处于LPZ0A区。过电压和过电流是通过在线路中加入电源SPD或信号SPD实现防雷保护，但由于每一次闪电强度无法估量，SPD的加入往往不能达到理想效果，同时，由于信号SPD与设备是串联的，在进行防雷保护的同时还会带来插入损耗，影响电子设备的功能。

1 屏蔽效能测试

屏蔽效能的测试一般指模拟信号源置于屏蔽室外时，接收装置在室外和室内接收的电场强度、磁场强度或功率之比。电磁屏蔽效率计算公式为：公式中的H1、E1和P1分别为在无屏蔽室条件下磁场强度、电场强度和场功率，H2、E2和P2分别为在屏蔽室内条件下的磁场强度、电场强度和场功率。对同一作信号源，把信号接收机安装在建筑物外和内部，用于测量E1、E2强度，再利用来计算建筑屏蔽效能值。屏蔽效能值与屏蔽材料电导率、磁导率和屏蔽体结构方式、场源频率和性质等很多因素有着直接联系，在进行防雷工程设计时可以采用该计算方式来进行微电子设备的空间布局。

2 不同防雷区域的电磁屏蔽设计

2.1 在LPZ0B区的微电子设备电磁屏蔽设计

当微电子设备处于室外时，一般会安装直击雷保护装置，使微电子设备处于LPZ0B区，此时微电子设备不会遭受直接雷击，但雷击电磁脉冲电磁场无任何衰减。……