等离子体破裂期间逃逸电流平台的研究∗

竹锦霞 涂 朴 李 强 李林芯

(四川文理学院智能制造学院，四川 达州 635000)

0 引 言

托卡马克中等离子体破裂是常见的快速失控事件.逃逸电子、晕电流和热沉积是等离子体破裂的3种危害源.逃逸电子是指等离子体中速度大的热电子或者快电子受到环形电场的加速力大于粒子间的碰撞阻力后与本底等离子体解耦，自身处于一个稳定的约束状态的电子[1].大量气体注入和弹丸注入等破裂缓解手段能有效地缓解热沉积和晕电流，但目前仍无法全部抑制逃逸电子的产生.等离子体破裂电流淬灭阶段产生的逃逸电子及之后形成的逃逸电流是逃逸电子在等离子体中存在的主要阶段.如何避免逃逸电子的产生以及探索有效的等离子体破裂期间逃逸抑制方案，避免逃逸电子轰击装置对第一壁的损害，是目前托卡马克中研究的物理重点[2].因此等离子体破裂期间逃逸电子产生以及逃逸电流形成的研究成为聚变领域的重要课题之一[3-6].近几年，研究者利用各个装置从理论和实验2个方面对破裂期间产生的逃逸电子以及逃逸电流进行了研究[7-13].目前，使用HL-2A装置对等离子体破裂期间逃逸电子行为进行了相关研究[14-15]，但对逃逸电子形成的逃逸电流特性研究甚少.本文基于HL-2A装置，利用不同模型拟合研究逃逸电流平台形成的特性，并从实验诊断角度分析了逃逸电流平台的特征.

1 逃逸产生机制

初级、次级以及热尾产生机制是托卡马……