王世霞,胡天意,杨 梦
上海理工大学理学院,上海 200093
ZnO是典型的宽禁带直接带隙半导体氧化物,具有较高的激子束缚能和优异的光学、电学、磁学以及气敏等物理化学特性[1-2]。ZnO在自然界主要以三种晶体结构存在,分别为六角纤锌矿(B4相)、立方岩盐矿(B1相)和立方闪锌矿(B3相)结构[3]。ZnO纳米材料的性质与其结构密切相关,不同结构ZnO纳米材料性能不同,元素掺杂可改变ZnO的晶体结构和带隙宽度,影响ZnO晶体内部缺陷,是提高ZnO材料性能的有效手段[4-5]。
近年来,研究者通过对ZnO进行形貌和结构可控设计、元素掺杂以及异质复合结构等方式制备ZnO微纳材料,对ZnO微纳材料进行改性,实现了ZnO纳米材料晶体形貌、尺寸控制以及掺杂金属的异质结复合结构的合成应用研究[3,6-7]。纳米材料光学应用研究表明,以罗丹明B为光催化模型,Ag的掺杂可以提高光催化反应效率[8]。
压力作为独立于温度和化学组分的物理参数,探索高压条件下纳米材料的结构、性质及相变规律,可为制备超硬和多功能的高压相材料提供实验与理论依据,进而拓宽材料的应用范围[9-10]。ZnO纳米材料的高压研究表明,ZnO在10 GPa左右从六方纤锌矿结构(B4相)到立方岩盐结构(B1相)压致相变,并且伴随着体积减小,卸压后相变过程可逆并有一定的滞后性。Jiang等研究了大块体材料以及晶粒尺寸为12 nm的ZnO高压相变行为,发现大块体材料ZnO在9.9 GPa左右发生了由纤锌矿结构到岩盐结构的相变,而12 nm的ZnO发生相变的压力增大到15.1 GPa,相变压力减小约50%[11]。……