速度突破7000MB/s! WD_BLACK首款PCIe 4.0 SSD SN850深度测试

马宇川

随着AMD Zen 2、Zen 3处理器的上市，支持PCIe 4.0技术的X570、B550主板的大面积铺货以及英特尔第一款消费级PCIe 4.0平台：ROCKET LAKE-S的即将发布，各存储厂商也开始力推采用PCIe 4.0技术的存储产品。如WD_BLACK就在近期为我们带来了它的首款消费级PCIe 4.0产品：定位于旗舰级的SN850 SSD。那么它在技术芯片上有哪些升级，相对上代旗舰产品SN750又有多大的进步呢？接下来就让我们通过实际体验来得出结论。

主控、闪存双双升级WD_BLACK SN850技术解析

相对于目前主流的PCIe 3.0平台，PCIe 4.0最大的好处就是带宽翻倍，从PCIe 3.0每通道1GB/s带宽提升到每通道2GB/s。对SSD来说，意味着在x4通道配置下，PCIe 4.0 x4 SSD的理论最高传输速度就可提升到8GB/s，而PCIe 3.0 x4 SSD的最高速度则不可能突破4GB/s。当然要想支持带宽翻倍的PCIe 4.0x4技术，对于存储厂商而言第一步就是必须采用支持PCIe 4.0技术的主控芯片。在WD_BLACK SN850上，虽然它仍采用常见的M.2 2280板型设计，但在内部核心上却有了重大升级。它采用了编号为“SanDisk 20-82-10034-A1”的新型PCIe 4.0主控。这款主控由WD_BLACK自行研发设计，技术资料显示，它是一个基于Arm架构的多核心、8通道PCIe4.0x4NVMeSSD主控芯片，支持最新的NVMe1.4标准。考虑到采用PCIe 4.0技术后可能会带来更大的发热量与功耗，因此该芯片的生产工艺由28nm升级为台积电TSMC的16nm FinFET工艺。闪存方面，SN850也像SN550这些新品一样，采用了新一代的闪迪96层堆叠TLC颗粒。新闪存除了相比老款SSD采用的64层堆叠闪存增加50%，存储密度更高外，96层堆叠闪存还首次应用了带宽可达800MT/s的Toggle 3.0闪存接口，并采用2Planes（2面）设计，相比常见的1 Planes设计闪存拥有更高的读写吞吐量，由此带来了性能与节能方面的优化。

此外，WD_BLACK还为SN850配备了独立缓存，用于存放记录数据位置的FTL映射表。……